STS1NK60Z
STS1NK60Z参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 欧姆 @ 400mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.9nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 94pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
STS1NK60Z手册
STS1NK60Z概述
STS1NK60Z 产品概述
STS1NK60Z 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。作为一款表面贴装组件，STS1NK60Z 设计用于高效电力转换和开关应用，尤其是在涉及高电压和小电流的场景中表现卓越。该器件以 600V 的漏源电压（Vdss）为上限，提供了极大的灵活性，能够广泛应用于电源管理、照明控制以及工业自动化等多种领域。
主要特性
漏源电压 (Vdss): STS1NK60Z 拥有高达 600V 的漏源电压能力，使其适合于高电压的应用场合，尤其是在逆变器和电源应用中非常重要。这样的设计确保了设备在高压环境中的稳定性和可靠性。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，STS1NK60Z 的连续漏极电流可达到 250mA。这使得它能够处理大多数中等负载电流应用，非常适合用于驱动小功率电机、开关电源以及其他需要中等功率输出的设备。
导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下，器件的最大导通电阻为 15 Ω。这一特性确保了在开关动作时低的功率损耗，提升了整体系统效率。
栅阈值电压 (Vgs(th)): STS1NK60Z 的最大栅阈值电压为 4.5V，确保了即使在较低的驱动电压下，器件也能够正常导通。这一特点在驱动电路中的兼容性方面展现出极大的优势。
输入电容 (Ciss): 该器件在 25V 条件下，输入电容最大值为 94pF，这意味着其在快速开关中的表现良好，适合高频操作的应用。
功率耗散能力: STS1NK60Z 的最大功率耗散能力为 2W（Tc），合理的功率处理能力使得它在高温和高负载条件下依然保持可靠性。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合需求严苛环境的应用，保证了在极端条件下的正常运行。
封装类型: STS1NK60Z 采用 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的封装形式，为现代电路设计提供了紧凑而有效的解决方案，适合于各种表面贴装的电路板设计。
应用场景
由于其卓越的性能参数和高适应性，STS1NK60Z 广泛应用于以下领域：
电源管理: 高压开关电源，逆变器和变频器等设备中，STS1NK60Z 作为开关元件能够高效的控制电流流向。
汽车电子: 在电动车辆及其充电设施中，这款 MOSFET 可以被用作电源转换与控制部署的一部分。
工业自动化: 可用于伺服控制器、传感器驱动电路等，发挥其高可靠性与高耐温性能。
LED 驱动: 在照明领域，特别是高功率 LED 驱动应用中，该器件通过高效率的开关能力可增强系统的整体效率。
结论
总体来看，STS1NK60Z 是一款高效、可靠且具有良好热性能的 N 通道 MOSFET，其出色的电气性能和优异的物理特性使其成为多种电子应用的理想选择。凭借意法半导体强大的品牌信誉和广泛的市场应用，STS1NK60Z 预计将继续在各个领域中获得广泛应用。