二极管配置 | 1 对共阴极 | 安装类型 | 通孔 |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 10A | 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.75V @ 10A |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 650V | 工作温度 - 结 | -40°C ~ 175°C |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 650V | 反向恢复时间 (trr) | 0ns |
STPSC20H065CW是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能碳化硅(SiC)肖特基二极管阵列,其具有优异的电气特性和可靠性,特别适用于高电压、大电流的应用场合,如电源管理、直流-直流转换器、逆变器及电动汽车充电站等领域。
高电流承载能力: STPSC20H065CW具有每个二极管可承载高达10A的平均整流电流,满足工业和消费电子设计对大电流的需求。
高可靠性: 采用碳化硅材料的肖特基结构,具有优越的温度稳定性和抗过流能力,能够在广泛的温度范围(-40°C ~ 175°C)内正常工作,适合高温和高压力的工作环境。
优秀的反向电压性能: 该二极管的最大反向电压(Vr)为650V,能够应对严苛的操作条件,并且具备非常低的反向泄漏电流(仅为100µA @ 650V),进一步提升了系统的能效和可靠性。
出色的正向特性: 在10A的工作状态下,正向电压(Vf)仅为1.75V,显著减少了功率损耗,提升了整体能效,尤其在高功率应用中表现优异。
无恢复时间特性: 该产品的反向恢复时间(trr)为0ns,提供极快速的开关反应,适用于开关频率较高的应用,能够有效降低开关损耗,提高系统的动态响应能力。
封装与安装方式: STPSC20H065CW采用通孔安装的TO-247封装,方便与不同PCB设计兼容,且具有良好的散热特性,适合大功率电子设备的热管理需求。
STPSC20H065CW因其卓越的电气特性,可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:
STPSC20H065CW是一款高性能碳化硅肖特基二极管,专为高电压、高电流的应用设计,具备优异的温度稳定性和电气特性,是现代电路设计中不可或缺的组成部分。其在电源管理、逆变器及电动汽车等领域的广泛应用,不仅提升了系统的效率,同时也保障了设备的长久稳定运行。通过集成这一元件,设计者能够在满足严格性能要求的同时,降低能耗,实现更高效的电能管理。