NCEP40T11G 产品实物图片
NCEP40T11G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCEP40T11G

商品编码: BM0084330154
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
DFN 5x6-8L
包装 : 
编带
重量 : 
0.166g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 75W 40V 110A 1个N沟道 DFN-8(5.7x5.1)
库存 :
163(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.18
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.18
--
100+
¥1.15
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCEP40T11G参数

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NCEP40T11G手册

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NCEP40T11G概述

NCEP40T11G 产品概述

一、基本介绍

NCEP40T11G 是一款由中国知名半导体制造商新洁能(NCE)出品的高性能场效应管(MOSFET)。该器件采用先进的半导体技术,具备卓越的电流承载能力和低导通电阻,适用于需要高开关频率和高效率的电源管理和信号调理应用。其额定功率为75W,最大电压可达到40V,最大漏极电流为110A,广泛应用于电源适配器、开关电源、DC-DC 转换器以及电动驱动系统等领域。

二、技术参数

  • 封装类型:DFN-8 (5.7x5.1 mm)
  • 最大漏极-源极电压 (VDS):40V
  • 最大漏极电流 (ID):110A
  • 额定功率 (PD):75W
  • 阈值电压 (VGS(th)):通常值在2V到4V之间
  • 导通电阻 (RDS(on)):在特定条件下,建议值小于15mΩ
  • 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

三、特性与优势

  1. 高电流处理能力:NCEP40T11G 能够承受高达110A 的漏极电流,适合于需要高功率密度的应用。

  2. 低导通电阻:低导通电阻(RDS(on))能够有效降低功耗,提高系统效率,特别是在高频开关应用中尤为重要。

  3. 紧凑的封装:DFN-8 封装设计使得 NCEP40T11G 占用空间小、散热性能佳,适合于面临空间制约的现代电子设备。

  4. 高耐压能力:具备40V 最大漏极电压,使其能够适应各种复杂的电源电路,不易因过压而失效。

  5. 温度适应性:广泛的工作温度范围使得该 MOSFET 能够在苛刻的环境条件下稳定运行,保证了长时间的可靠性和稳定性。

四、应用场景

NCEP40T11G 的出色性能使其能够满足多个领域中的高标准需求,例如:

  • 开关电源:在各种电源转换和管理中,MOSFET 可作为开关元件,为系统提供所需的高效电力。

  • 电动汽车:在电动汽车的驱动和能源管理系统中,NCEP40T11G 可用作高性能电源开关及逆变器,提升能效和性能。

  • DC-DC 转换器:在便携式电子设备中,作为 DC-DC 转换器的功率开关,以高效实现电压转换,提升设备的续航能力。

  • 太阳能逆变器:在可再生能源系统中,MOSFET 可用于将太阳能电池产生的直流电转化为交流电,以供家庭及商用。

五、总结

总体而言,NCEP40T11G 是一款具有卓越性能和广泛适用性的 N 沟道 MOSFET。凭借其高电流承载能力、低导通电阻和适应性强的封装设计,该产品为现代电子设计提供了理想的解决方案,满足了不断增强的性能要求和空间限制。新洁能(NCE)致力于通过持续创新,为客户提供更为高效、可靠的产品,以推动全球电子行业的进步。无论是在电力转换、信号放大,还是电能控制等应用中,NCEP40T11G 的表现都将超出您的预期。