NCE20P70G
NCE20P70G参数
| 功率(Pd) | 130W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 290pF |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@4.5V,70A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 100nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.95nF@10V | 连续漏极电流(Id) | 70A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@20A |
NCE20P70G手册
NCE20P70G概述
NCE20P70G 产品概述
一、基本介绍
NCE20P70G 是一种高性能的P沟道场效应管（MOSFET），具备出色的电气特性和可靠性，广泛应用于各类电源管理、开关电路及高功率应用。这款场效应管的额定功率高达130W，具有20V的耐压与70A的连续电流承载能力，符合现代电子设备对高效率和高集成度的要求。
二、主要规格
- 类型：P沟道 MOSFET
- 功率：130W
- 额定电压：20V
- 额定电流：70A
- 封装类型：DFN-8（4.9mm x 5.8mm）
- 品牌：NCE（新洁能）
三、产品特点
高功率与高效率：NCE20P70G 的 130W 功率和 70A 的电流能力使其在高负载条件下依然能够保持良好的工作状态，适用于电源管理系统、LED驱动、电池管理等场合。
低导通电阻：该MOSFET采用优质材料及先进制造工艺，确保较低的 Rds(on)（导通电阻），从而降低开关损耗和热耗散，提高整个电路的能效。
高耐压设计：产品的20V耐压使其可以安全地应用于多种场景，包括汽车电子、工控设备等，对防止因过压导致的器件损坏具有很好的保护作用。
小巧封装：DFN-8封装（4.9mm x 5.8mm）不仅节省了电路板空间，还有助于提高散热性能，使散热路径更短，进一步增强了设备的可靠性。
易于驱动：作为P沟道MOSFET，NCE20P70G具有较高的输入阻抗，驱动接口要求相对低，有助于简化电路设计并降低系统成本。
四、应用领域
NCE20P70G广泛应用于：
- 开关电源（SMPS）：在电源转换中扮演重要角色，实现高效的电能转换和管理。
- 电机驱动：在电动机控制系统中，MOSFET可用作开关元件，控制电机的运转状态。
- LED照明：在LED驱动电路中，MOSFET提供稳定的电流，确保LED的亮度和使用寿命。
- 汽车电子：在汽车中用于电源管理、功率转换和电动车辆的控制系统等场合。
五、技术参数及性能曲线
为了能够有效使用NCE20P70G，了解其详细的技术参数和性能曲线至关重要。该器件的特性曲线可以在其数据手册中找到，包括导通电阻（Rds(on)）、漏极电流（I_D）、耐压特性及其热特性。例如，低的导通电阻使其即使在高电流工作条件下也能保持较低的发热，稳定的工作性能能够有效延长电子设备的使用寿命。
六、总结
总体而言，NCE20P70G凭借其高功率、高效率和小巧的封装特性，成为现代电子设计中P沟道MOSFET的优选之一。无论是在电源管理、开关电路还是各种高功率应用中，NCE20P70G都展示出了可靠的性能和广泛的适应性，使其在市场中具备占有一席之地的潜力。其高性价比和强大的功能特性，无疑是电子设计师们在选择器件时的重要考量。因此，NCE20P70G为实现高性能电子产品提供了强有力的支持。