BSC014N06NSTATMA1
BSC014N06NSTATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.45 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.3V @ 120µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 104nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8125pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），188W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 FL |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC014N06NSTATMA1手册
BSC014N06NSTATMA1概述
BSC014N06NSTATMA1 产品概述
概述： BSC014N06NSTATMA1 是由英飞凌（Infineon）公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET （金属氧化物场效应管）。其主要设计用于高功率电源管理、开关电源、自动化设备和其他需要高效率功率开关的应用。这款 MOSFET 具有优异的电气特性，最高工作电压可达60V，持续漏极电流可达100A，适合对高导通电阻和快速开关特性有严格要求的供电系统。
基本参数：
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 25°C 时的连续漏极电流（Id）: 100A（在最大结温 Tc 条件下）
- 驱动电压: 6V（最小），10V（最大 Rds On）
- 导通电阻（Rds On）: 在 Vgs = 10V 时，最大值为 1.45 毫欧 @ 50A
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 3.3V @ 120µA
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为104nC @ 10V
- 栅源最大电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 最大值为8125pF @ 30V
- 最大功率耗散: 3W（环境温度 Ta），188W（结温 Tc）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（结温 TJ）
- 封装类型: TDSON-8FL (表面贴装型)
特性优势： BSC014N06NSTATMA1 的设计考虑到了现代电力电子系统对高效率和高可靠性的需求。它具有以下几个显著特点：
低导通电阻: 其较低的导通电阻 (1.45mΩ) 意味着在导通时能够有效降低功率损耗，提高系统效率，从而降低热量生成，延长元器件和系统的使用寿命。
高耐压和高电流能力: 该MOSFET能承受最大60V的漏源电压，以及100A的连续电流，使其在各种负载条件下均能保持稳定性能，适合用于高电压应用。
宽工作温度范围: 该器件的工作温度范围从-55°C到175°C，使其适用于苛刻的工业环境和高温应用场景，保证了组件的稳定性和可靠性。
优良的开关特性: 较高的栅极电荷(Qg)和合理的栅源阈值电压(Vgs(th))使其在开关频率高的电路中表现优异，减小了开关损耗。
紧凑封装: TDSON-8FL 封装使其在占用空间较小的情况下实现了高功率和高电流能力，适合现代电子产品对小型化和集成化的需求。
应用领域： BSC014N06NSTATMA1 的广泛应用包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电动汽车充电器
- 风能发电系统
- 智能电网
- 电机驱动
- 太阳能逆变器和电池管理系统
总结： BSC014N06NSTATMA1 是一款具有强大性能的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电流承载能力和低导通电阻，能够在各种电源管理和高功率应用中提供高效能和稳定性。它的多功能适用性和可靠性使其成为高科技电子设备和系统中不可或缺的重要组件。选择 BSC014N06NSTATMA1 可以确保您的设计在性能和稳定性方面都处于行业领先地位。