RQ3L050GNTB
RQ3L050GNTB参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 61 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 25µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.8nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 14.8W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-HSMT（3.2x3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
RQ3L050GNTB手册
RQ3L050GNTB概述
RQ3L050GNTB 产品概述
RQ3L050GNTB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为功率控制和管理应用而设计，适合用于许多电子产品的核心电路。作为ROHM（罗姆）品牌的一款重要产品，RQ3L050GNTB在多个方面展示出优异的电性特性，可靠性和热管理能力。
1. 基本参数和特性
RQ3L050GNTB 的额定漏源电压为60V，能够满足多种高压应用场景的需求。该器件的最大连续漏极电流为12A，适用于高功率的开关应用。其功率耗散能力高达14.8W，使其在高功率环境下稳定工作，能够有效管理电力传输和转换过程中的热量。
2. 工作温度范围
本产品设计具备宽广的工作温度范围，工作温度可达到150°C（TJ），这使得该MOSFET在高温环境下依然能保持良好的集成性能，而不易发生故障或退化，展现出色的热稳定性，适合在严苛环境中使用。
3. 优化的电气特性
近年来，随着电子设备的高性能需求增加，MOSFET的导通电阻（Rds On）以及阈值电压（Vgs(th)）成为评估性能的重要指标。RQ3L050GNTB在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为61毫欧，在5A的条件下展现出优异的电力传输效率，极大降低了功耗。这种低Rds On特性使得该MOSFET在高频开关应用中表现优秀，从而提高整体系统的效率。在栅极阈值电压方面，其最大阈值电压为2.5V（@ 25µA），在较低的驱动电压条件下也能有效工作，实现更强的适应性。
4. 栅极电荷特性
RQ3L050GNTB 还具备出色的栅极电荷特性，其在4.5V下的最大栅极电荷为 2.8nC。这一特性对于高频应用尤为关键，低栅电荷意味着更快的开关速度，从而在开关频率较高的应用中能显著提升系统的工作效率。
5. 安装与封装设计
RQ3L050GNTB采用HSMT-8（3.2x3mm）表面贴装型封装设计，方便快速集成于各种电路中。小巧的封装尺寸使得其适合于对空间有严格限制的小型化设备，符合现代电子设备小型化、轻量化的趋势。同时，表面贴装技术也简化了制造流程，提高了生产效率。
6. 应用领域
RQ3L050GNTB广泛应用于计算机硬件、新能源电源、家用电器、汽车电气设备等多个领域。特别是在电源管理、开关电源、直流-直流转换器、驱动电路中，能够实现高效的功率转换和控制。此外，其出色的热性能和运行稳定性，使其在高温、高负载的环境下依然持续工作。
7. 结论
综上所述，RQ3L050GNTB是性能卓越、可靠性高的N通道MOSFET，具备60V的漏源电压、12A的连续电流和14.8W的功率耗散能力，广泛适用于各类需高效控制和管理电力的应用场景。其良好的热管理能力、低导通电阻和适应宽频工作的特性，使得RQ3L050GNTB在现代电子产品中成为一款非常理想的选择。无论是在工业、消费或汽车电子市场，该器件都能助力更高效、更稳定的电源管理解决方案。