QH8MA2TCR

产品概述：QH8MA2TCR MOSFET阵列

一、产品简介

QH8MA2TCR 是由知名电子元器件制造商 ROHM（罗姆）推出的一款高性能 MOSFET 阵列。该产品结合了 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 以满足现代电子设备中对高效能和高密度设计的需求。其主要应用于智能手机、平板电脑、便携式电子设备以及其他低功耗应用中，尤其适合需要小型化和表面贴装型设计的场合。

二、技术规格

1. 安装类型：表面贴装型，适合现代电子电路的布局需求，能够有效减少PCB占用空间。
2. 导通电阻：在 Id 为 4.5A 和 Vgs 为 10V 的条件下，导通电阻的最大值为 35 毫欧，显示出该产品在导通状态下的优异性能，能够有效降低功耗。
3. 连续漏极电流：支持 4.5A 的 N 沟道和 3A 的 P 沟道，通过合理的设计支持大电流应用。
4. 输入电容 (Ciss)：最大值为 365pF @ 10V，保证了开关速度，适合高速开关场合。
5. 工作温度范围：最高工作温度可达 150°C，表明其在高温环境下的稳定性和耐用性。
6. 栅极电荷 (Qg)：在 Vgs 为 10V 的条件下，栅极电荷的最大值为 8.4nC，反映了驱动控制的低损耗特性。
7. 漏源电压 (Vdss)：额定漏源电压为 30V，适应多种电源设计。
8. 逻辑电平门：该 MOSFET 支持逻辑电平驱动，便于与微控制器和其他数字电路直接连接。
9. 功率限制：最大功率可达 1.25W，能够满足多种应用场合下的功率需求。

三、产品应用

QH8MA2TCR 的设计使其非常适合于如下应用场景：

1. 电源管理：在开关电源或 DC-DC 转换器中，作为开关元件提高转换效率。
2. 电机控制：广泛应用于小型电机驱动电路中，可用于家电、办公自动化设备等。
3. 信号开关：在音频、视频信号切换中，能够有效实现信号的高保真切换。
4. 移动设备：适合智能手机、平板电脑等移动设备的开关控制及电源管理。
5. LED 驱动：用于 LED 照明设计中，以提高效率和控制亮度。

四、产品优势

1. 高性能：低导通电阻和高电流额定值，显著降低了功耗，提升了整体效率。
2. 耐用性：较高的工作温度能够确保产品在严苛环境中仍然稳定工作，延长产品使用寿命。
3. 紧凑设计：表面贴装形式减少了 PCB 占用面积，适合需要高集成度的电子设计。
4. 易于控制：支持逻辑电平驱动，便于与数字电路连接，简化了设计过程。
5. 多用途：适应多种应用场景，是电子设计工程师的理想选择。

五、总结

QH8MA2TCR 是一款兼具高性能、耐用性和灵活性的 MOSFET 阵列，能够满足不同电子应用的需求。其特定的技术参数使其在电源管理、信号开关及其他应用中展现出色的表现，是电子工程师在设计产品时值得信赖的选择。通过利用 ROHM 的先进技术，QH8MA2TCR 将助力推动创新和高效能产品的开发。