RQ3E130BNTB

产品概述：RQ3E130BNTB N 通道 MOSFET

RQ3E130BNTB 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的高性能 N 通道 MOSFET，专为需要高效功率控制的应用而设计。这款器件具有良好的导通特性、极低的导通电阻以及较高的耐压能力，使其在当今电子电路设计中得以广泛应用。

1. 基本参数与技术

RQ3E130BNTB 的主要电气参数包括：漏源电压(Vdss)达到 30V，连续漏极电流(Id)高达 13A，适合多种中低功率应用。其在 25°C 条件下，具有稳定的电流输出能力，能够满足高负载要求。同时，该器件的温度特性表现也十分优越，其最大工作温度达到 150°C（TJ），确保了在恶劣环境下的可靠性。

在学习其驱动电压方面，RQ3E130BNTB 的 Rds(on) 最小值在 4.5V 条件下可实现，而在 10V 下表现出更低的导通电阻（最大值为 6 毫欧），这使得其在高频开关电源及马达驱动等应用中能够有效降低功率损耗，提升系统效率。

2. 输入和输出特性

该 MOSFET 的 Vgs(th) 最大值为 2.5V（@1mA），提供了很好的开关特性。其栅极电荷（Qg）最大值为 36nC（@10V），使得在高速开关操作时，驱动电路的负担减轻，从而简化了总系统的设计复杂性。同时，其输入电容 (Ciss) 最大值为 1900pF（@15V），确保了在高频应用中的良好整流特性。

3. 功率与热管理

RQ3E130BNTB 的最大功率耗散为 2W，在设计电路时，需要合理考虑散热设计，以避免因过热造成性能下降或失效。透过适当的散热措施和电路设计策略，尽管该 MOSFET 的功率耗散有限，但其在大多数低功耗应用中的表现仍旧令人满意。

4. 封装与形式

RQ3E130BNTB 使用 HSMT-8 封装，尺寸为 3.2mm x 3mm，适合表面贴装（SMD）应用，非常适合现代电子设备的小型化需求。紧凑的封装设计不仅节省了板面积，还能改善散热性能，适合需求空间有限的电路板设计。

5. 应用场景

RQ3E130BNTB 被广泛应用于电源管理、电机控制、开关电源、LED 驱动、电池管理系统等领域。它的高效能和可靠性保证了各种应用中的有效工作，尤其是在对功率损失要求严格的场合。

6. 竞争优势

与市场上同类产品相比，RQ3E130BNTB 的主要竞争优势体现在其低 Rds(on) 值和高额的连续漏极电流可承受能力上，这使得它在瞬态响应和效率表现上更具优势。此外，ROHM 的品质保证以及长期的行业经验，为用户提供了更高的信任度与支持。

总结

总的来说，RQ3E130BNTB N 通道 MOSFET 是一款高性能、多用途的电子元器件，适合多种现代电子应用。凭借其卓越的导通特性、电流处理能力以及合理的封装设计，它在电子设计中扮演着重要角色。选择 RQ3E130BNTB，将为您的项目提供稳定、可靠的电源解决方案。