FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.4 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 225nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7437pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 231W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK(7-Lead) |
封装/外壳 | TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA |
IRFS7437TRL7PP 是一款高性能的 N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高电压、高电流应用设计。由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,该器件在功率电子领域广泛应用,特别适用于电源管理、电机驱动以及工业控制等关键场景。其出色的参数表现使其成为现代电子设计中的理想选择。
电气参数:
开关特性:
功率和热特性:
封装和安装方式:
IRFS7437TRL7PP MOSFET 由于其卓越的电气特性,被广泛应用于各类电源应用,如:
作为一款高性能的 N通道 MOSFET,IRFS7437TRL7PP 提供了优异的电气特性和广泛的应用灵活性。其低导通电阻、高电流承载能力及卓越的热特性,使其成为现代电子设计中不可或缺的重要器件。无论是在电源设计、工业自动化还是高功率系统领域,IRFS7437TRL7PP 都能为工程师提供可靠的解决方案,推动技术创新与产品性能的提升。