STL120N8F7
STL120N8F7参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | STripFET™ F7 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.4 毫欧 @ 11.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 4.8W（Ta），140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4570pF @ 25V | 基本产品编号 | STL120 |
STL120N8F7手册
STL120N8F7概述
STL120N8F7 产品概述
一、基本信息
STL120N8F7是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），属于STripFET™ F7系列。凭借其出色的电气特性，该产品适用于高效能开关电源、电机驱动和其他需要高电流和高效能的应用。
二、产品特性
高电流承载能力
STL120N8F7能够在25°C的环境下提供高达120A的连续漏极电流（Id），能够满足高电流应用的需求。其耐用性和可靠性使其成为多种工业和消费电子产品的理想选择。低导通电阻
该场效应管在10V栅极驱动电压下，最大导通电阻（Rds On）为4.4毫欧（@11.5A），极低的导通电阻有效降低了功率损耗，提升了系统效率。同时，这种低内阻特性可以减少电源管理系统中的热量产生，从而延长器件及系统的使用寿命。广泛的工作温度范围
STL120N8F7的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C（TJ），使得其在各种环境条件下都能保持稳定的性能。无论是在极端寒冷或极端高温的应用中，该产品都能确保可靠性。优良的驱动特性
该器件的栅极电荷（Qg）为60nC（@10V），这意味着在开关操作时所需的驱动电流较小，有利于提高开关频率和整体系统效率。兼容的电压等级
STL120N8F7具有80V的漏源电压（Vdss），能够支持多种电源应用，包括48V电源系统和高压电机驱动。先进的封装设计
该MOSFET采用PowerFlat™（5x6）封装，拥有较小的占板面积，适合于高密度表面贴装应用。这种封装设计还具有良好的散热性能，有助于提升器件的工作可靠性。
三、应用场景
STL120N8F7因其卓越的电气特性而广泛应用于以下几个领域：
开关电源
适用于各种开关电源（SMPS）设计，例如AC-DC电源转换器和DC-DC变换器，能够提高电源效率。电机驱动
在电机驱动应用中，STL120N8F7能够处理中等到高电流负载，特别是在驱动直流电机和步进电机时，表现优异。汽车电子
由于其高温工作能力和高电流承载能力，适合用于电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中的电源管理和电机控制系统。工业自动化
STL120N8F7可用于工业驱动和自动化设备中的功率调节和控制，确保系统的稳定性和高效性。消费电子
在移动设备和个人电脑电源管理中，STL120N8F7能够提供高效的电流控制，提升设备的电池寿命。
四、总结
STL120N8F7是一款性能卓越的N通道MOSFET，结合低导通电阻、高电流能力和广泛的工作温度范围，完美满足了现代电子设计对高效率和高可靠性的需求。无论是在开关电源、电机驱动还是汽车电子等领域，该器件都展现出强大的应用潜力，是工程师和设计师优选的元件之一。通过合理的设计与系统集成，STL120N8F7将极大地提升产品性能和市场竞争力。