IPA60R180P7SXKSA1
IPA60R180P7SXKSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 280µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1081pF @ 400V |
| 功率耗散（最大值） | 26W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO220 整包 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
IPA60R180P7SXKSA1手册
IPA60R180P7SXKSA1概述
IPA60R180P7SXKSA1 产品概述
IPA60R180P7SXKSA1 是英飞凌（Infineon）推出的 600V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET，它是 600V CoolMOS™ P6 系列的继任者。该产品采用先进的技术，旨在平衡高效率与易用性之间的需求，特别适合于各种工业和消费电子应用中的电源管理和电力转换。
关键特性
高电压和电流承载能力： IPA60R180P7SXKSA1 支持高达 600V 的漏源电压（Vds），在 25°C 时可以承载连续漏极电流（Id）高达 18A。这使得该 MOSFET 特别适合于高电压应用场合，如开关电源、电机驱动、逆变器和各种电力电子设备。
低导通电阻： 该器件在 10V 的栅极驱动电压下，其最大 Rds(on) 可低至 180毫欧，这保证了在导通状态下的低能量损耗，提高了整体的工作效率。这一特性也使得该 MOSFET 在高负载条件下保持较低的温升，从而延长了器件的使用寿命。
快速开关特性： IPA60R180P7SXKSA1 的栅极电荷（Qg）最大值为 25nC，表明该器件支持快速开关操作，适用于需要高频率开关的应用场合，例如开关电源和 DC-DC 转换器。这一特性有效降低了开关损耗，进一步提升了整体效率。
广泛的工作温度范围： 该产品支持的工作温度范围为 -40°C 至 150°C（TJ），使其在极端环境下也能可靠工作，适应高温和低温操作需求，这使得其广泛适用于恶劣的工业环境。
优越的输入电容性能： 在 400V 的不同 Vds 下，输入电容（Ciss）的最大值为 1081pF。较小的输入电容值为设计师在高频应用中的电路设计提供了更多的自由度，同时减少了电路的驱动功耗。
强大的封装设计： IPA60R180P7SXKSA1 使用 PG-TO220 封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合通孔安装。这一类型的封装在市场上广受欢迎，便于与现有的 PCB 设计进行集成。
应用领域
IPA60R180P7SXKSA1 不仅适用于高压电源转换应用，还可以广泛使用于：
- 开关电源：如 ATX 电源、LED 驱动电源等。
- 电机控制：用于直流电机和步进电机驱动。
- 逆变器：用于光伏和风能发电系统。
- 电力电子驱动：在工业设备和消费类电器中用于电力转换和控制。
结论
IPA60R180P7SXKSA1 是一款性能卓越的 MOSFET，结合了高电压承载能力、低导通电阻和高开关频率的优点，能够满足现代电力电子设计对效率和性能的严格要求。无论是在电源管理、工业控制还是消费电子产品中，其出色的特性都能够帮助设计师实现更高的设计灵活性和可靠性，是高效能电力转换系统的理想选择。