BSC057N08NS3GATMA1
BSC057N08NS3GATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 73µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3900pF @ 40V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），114W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-5 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC057N08NS3GATMA1手册
BSC057N08NS3GATMA1概述
产品概述：BSC057N08NS3GATMA1
BSC057N08NS3GATMA1 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能 N 通道 MOSFET，具有卓越的电气特性和稳定的工作性能。该器件广泛应用于电源管理、 motor驱动及高频开关电路等多个领域。其卓越的性能和优越的可靠性，使其成为现代电子设计中不可或缺的重要元器件。
基本参数
FET 类型：N 通道
作为 N 通道 MOSFET，BSC057N08NS3GATMA1 具备良好的导电性能，相对于 P 通道 MOSFET 具有更低的导通电阻（Rds On），这使得该器件在大电流应用中具备更佳的效率。技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
MOSFET 是一种主要用于电信号开关、放大和调制的场效应晶体管，其优越的开关速度和高输入阻抗使其在现代电子电路中非常流行。漏源电压（Vdss）：80V
器件的最大漏源电压为 80V，使其适用于中等电压应用，从而满足多种电源管理需求。连续漏极电流（Id）：16A（Ta），100A（Tc）
在环境温度 25°C 下，器件能够承受高达 16A 的连续漏电流。而在适当的冷却条件下（如使用散热片），其最大允许漏电流可达到 100A，大幅提升了设计的灵活性。最大导通电阻（Rds On）：5.7 毫欧 @ 50A，10V
低导通电阻有效降低了器件在开启时的功耗，能够提高系统效率，减少发热量，适合对功率损耗有严格要求的应用场合。
开关特性
栅极电压（Vgs）
器件的驱动电压范围从 6V 到 10V，Vgs(th)（开启电压）最大值为 3.5V，适合多种场合的门限设计需求。栅极电荷（Qg）：56nC @ 10V
相对较低的栅极电荷可实现快速的开关速度，减少开关时间，从而提高工作频率及系统的整体性能。输入电容（Ciss）：3900pF @ 40V
较高的输入电容虽可能在某些情况下影响开关速度，但考虑到其应用场景，能够保证信号的稳定传递，确保 MOSFET 的快速响应。
可靠性与热管理
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），114W（Tc）
在环境温度下，该器件能够安全地处理 2.5W 的功率，而在合适的散热环境下其功率处理能力可以提升至 114W。这种特性使得 BSC057N08NS3GATMA1 能够在负载变化相对大的情况下稳定工作。工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
广泛的工作温度范围使得该器件可在各种环境条件下使用，包括高温和低温应用场景，确保了其在恶劣条件下的可靠性。
封装与安装
BSC057N08NS3GATMA1 使用 PG-TDSON-8 封装，具有紧凑的尺寸和良好的热传导性能，便于表面贴装。此外，其 8-PowerTDFN 封装设计支持高密度电路板的布局，为现代电子工程师提供了更多设计自由度。
应用场景
该 MOSFET 适合用于电源转换器、开关电源、直流-直流转换器、马达驱动器、LED 驱动、以及一般工业应用等场合。无论在家电、工业自动化还是电动汽车等领域，BSC057N08NS3GATMA1 都能充当高效的关键电气元件。
结论
BSC057N08NS3GATMA1 MOSFET 以其高效的电气特性、广泛的工作温度和高可靠性，为现代电子设计提供了强大的支持和保障。英飞凌作为全球知名的半导体制造商，其产品的品质和性能远近闻名，是工程师们在设计中值得信赖的选择。