SIRA28BDP-T1-GE3
SIRA28BDP-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Ta），38A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | +20V，-16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 582pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），17W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIRA28BDP-T1-GE3手册
SIRA28BDP-T1-GE3概述
产品概述：SIRA28BDP-T1-GE3
SIRA28BDP-T1-GE3 是威世（VISHAY）公司生产的一款高性能 N 型 MOSFET（场效应晶体管），采用了先进的 PowerPAK® SO-8 封装。在变换器、开关电源及其他高频应用中，该器件以其出色的电流处理能力、低导通电阻和高效率，成为众多工程师的首选。下面，我们将详细介绍该产品的关键参数、应用场景及其优势。
一、关键参数
漏源电压（Vdss）：SIRA28BDP-T1-GE3 的漏源电压高达 30V，使其在中低压应用中表现出色，能够承受较高的电压瞬态。
连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，该器件的连续漏极电流可达 18A。在更低的温度条件下（例如在芯片的结温下），漏极电流可提升至 38A，从而为高效率电源设计提供强大的支持。
导通电阻（Rds(On)）：在 10V 的栅极驱动电压下，SIRA28BDP-T1-GE3 的最大导通电阻仅为 7.5 毫欧。这一特性确保了在工作时器件能将功率损耗降至最低，提高整个电路的效率。
栅极电压特性（Vgs）：器件支持的栅极驱动电压范围广泛（最高可达 +20V，最低可到 -16V），适用于多种驱动配置。
工作温度范围：SIRA28BDP-T1-GE3 支持的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C，适应不同环境条件下的应用，特别是在高温条件下的可靠性。
功率耗散（Pd）：在 25°C 环境下，功率耗散可达到 3.8W，而在芯片结温控制下更可提高至 17W。这使产品能够在高功率密度环境下可靠运行。
输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg）：该器件在 15V 条件下的输入电容为 582pF，栅极电荷最大为 14nC（在 10V 下）。这意味着在高频切换应用中，保持较低的切换损耗，提高电路的响应速度。
二、应用场景
SIRA28BDP-T1-GE3 的高效率和卓越的电流处理能力使其广泛应用于以下领域：
开关电源（SMPS）：作为高频开关器件，SIRA28BDP-T1-GE3 能够支持各类型开关电源，如适配器、充电器和电池管理系统。
电机驱动：在电机控制中，MOSFET 具备快速的开关特性，可以有效地控制电机的转速与扭矩。
DC-DC 转换器：可用于高效的 DC-DC 转换器设计，转换效率高，有助于降低热量和提高整体系统的可靠性。
LED 驱动：通过高效率的电源管理技术，MOSFET 能够在 LED 应用中提高光效和延长寿命。
三、产品优势
高效率：低导通电阻和高电流处理能力，使得 SIRA28BDP-T1-GE3 在运行过程中的能量损耗大幅降低。
可靠性强：宽广的工作温度范围使得该器件在各种严苛条件下依然表现出色。
易于驱动：适应的栅极电压范围使其能够轻松与多种驱动电路兼容。
多样封装选择：PowerPAK® SO-8 封装 not only saves PCB空间, but also contributes to better thermal performance.
四、结论
综上所述，SIRA28BDP-T1-GE3 是一款具备高效能和可靠性的 N 型 MOSFET，其出色的性能参数和多种应用场景，使其成为设计高效电源和控制电路的理想选择。适用于广大电子产品设计师和工程师，能够满足现代电子产品对高性能的需求。