IRF1407STRLPBF
IRF1407STRLPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.8 毫欧 @ 78A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 250nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5600pF @ 25V |
IRF1407STRLPBF手册
IRF1407STRLPBF概述
产品概述：IRF1407STRLPBF
IRF1407STRLPBF是一款由德国半导体制造商Infineon Technologies出品的高性能N通道MOSFET，属于HEXFET®系列。此次产品适用于各种高效能电源管理和功率转换场景，凭借其卓越的电流承载能力和低导通电阻，IRF1407STRLPBF在工业和汽车应用中都展示出巨大的潜力。
1. 主要规格与特性
IRF1407STRLPBF的核心特点包括：
- 最大漏源电压（Vdss）: 75V
- 最大连续漏电流（Id）: 100A @ Tc
- 最大导通电阻（Rds(on)）: 7.8毫欧 @ 10V、78A
- 最大功率耗散: 200W @ Tc，3.8W @ Ta
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
- 固定栅极电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 5600pF @ 25V
- 栅极电荷（Qg）: 250nC @ 10V
这些规格使IRF1407STRLPBF在需要高电流和低电阻的电力电子应用中表现出色，例如在逆变器、DC-DC转换器和电机驱动器中。
2. 应用场景
IRF1407STRLPBF远不止于普通的MOSFET，它在以下几个应用场景中尤为突出：
电源管理: 由于其持续的高电流能力和低导通电阻，这款MOSFET非常适合在开关电源（SMPS）及其他电源转换系统中使用。它可以提高电源的效率，减少功耗和热量产生。
电动机驱动: 该器件可轻松处理电动机启动和运行中的高电流，通常用于无刷直流电动机控制和伺服驱动系统中。
逆变器和转换器: 在设计光伏逆变器和UPS（不间断电源）时，IRF1407STRLPBF能够为系统提供所需的高功率密度和可靠性。
3. 性能优势
IRF1407STRLPBF的卓越性能主要体现在以下几个方面：
高效率: 低温度下具备极低的导通电阻，意味着更少的能量损耗和发热。即使在高负载条件下，该MOSFET也能保持良好的散热性能，从而提高整体电路的效率。
宽工作温度范围: 从-55°C到175°C的广泛温度范围使得该MOSFET能够在严苛环境下可靠工作。这对于户外设备或汽车应用尤为重要。
高可靠性: Infineon产品以其质量和可靠性闻名，IRF1407STRLPBF通过严格的测试和认证，满足了多种工业标准，确保在多变和挑战性环境下的持久性。
4. 封装与安装
IRF1407STRLPBF采用D2PAK封装（TO-263-3），是一种表面贴装型设计，方便在自动化生产中批量装配，同时优化了热管理特性。这种封装形式与多个PCB设计兼容，有助于减少整体解决方案的尺寸。
5. 总结
综上所述，IRF1407STRLPBF MOSFET凭借出色的电气特性和高功率处理能力，成为了现代电源管理和功率转换应用中的理想选择。其稳定性和高可靠性进一步扩大了应用的广泛性，使其在电动汽车、工业设备以及家用电器等领域均可找到合适的应用。选择IRF1407STRLPBF，将为您的电子设计带来更高的效率与可靠性，适应未来更为复杂的的技术需求。