驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 17V(最大) | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1.5V,3.6V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 400mA,650mA | 输入类型 | 反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 50ns,30ns |
工作温度 | -45°C ~ 125°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
L6387ED013TR 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能栅极驱动集成电路(IC),专为驱动 N 沟道 MOSFET 和 IGBT 设计。作为一款半桥驱动器,L6387ED013TR 具有双通道独立驱动的特性,使其在各种功率转化应用中表现出色。
L6387ED013TR 具有广泛的电压和温度运行范围,能够在高达600V的环境中稳定工作。其供电电压可达17V,确保在各种电源条件下均能可靠工作。逻辑输入电压范围为1.5V到3.6V,可与多种微控制器和数字逻辑电路兼容。
该驱动器的输出电流特性为峰值输出(灌入和拉出)分别为400mA和650mA,能够支持对大容量功率器件的快速开关控制。这种高电流输出能力使得 L6387ED013TR 能够在快速开关条件下,降低开关损耗,提升系统效率。
L6387ED013TR 的上升和下降时间的典型值分别为50ns和30ns,意味着该器件能够实现快速的开关响应,适用于需要频繁切换的应用场合。这一特性使得 L6387ED013TR 在电机驱动、开关电源、以及其他高频变换应用中都能展现出良好的性能。
该产品具有反向输入的设计,这意味着其输入信号是反相的,进一步提高了设计的灵活性。设计工程师可以根据特定应用需求轻松集成这一驱动IC。
L6387ED013TR 支持宽广的工作温度范围,从-45°C 到 125°C,能够适应各种严苛的环境条件。这使得该栅极驱动IC 在汽车电子、工业设备以及其他高温应用领域中都能保持稳定的性能。
L6387ED013TR 采用表面贴装型SO-8封装,这种紧凑型设计不仅可以有效节省电路板空间,同时也方便组装。该封装结构有助于提升热管理效率,确保良好的散热性能,延长设备的使用寿命。
L6387ED013TR 因其卓越的性能和灵活的应用特性,广泛应用于多个领域,特别是在电机驱动、逆变器、电源管理和可再生能源转换等场景。此外,它的高耐压能力使其成为高频开关电源等应用中的理想选择。
L6387ED013TR 栅极驱动IC是一款高效、灵活且可靠的解决方案,适用于多个高性能和高要求的电子应用。凭借其出色的电气特性和优异的热管理能力,L6387ED013TR 能够满足现代电子设备对效率和可靠性的要求,对于设计工程师和应用开发人员来说,选择 L6387ED013TR 将是提高系统性能的理想之选。无论是在严苛的工业环境,还是在复杂的汽车电气系统中,L6387ED013TR 都能提供持久的性能支持,使之成为电子设计中不可或缺的重要元件。