VS3V3BB1EST15R
VS3V3BB1EST15R参数
| 类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 3.3V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 4V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 8.2V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5.5A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 45W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 10pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） | 供应商器件封装 | DSN0603-2，SOD-962，SMD0603 |
VS3V3BB1EST15R手册
VS3V3BB1EST15R概述
产品概述：VS3V3BB1EST15R 静电和浪涌保护器件
一、产品背景
随着电子设备的不断发展，静电和浪涌现象日益成为影响设备性能和可靠性的重要因素。为了确保电子元器件在严苛环境下能够稳定工作，针对静电放电（ESD）和电压浪涌（TVS）设计的保护器件应运而生。ROHM（罗姆）作为全球领先的半导体制造商，开发了VS3V3BB1EST15R这一静电和浪涌保护器件，以满足高性能电子设备在小型化及高频应用中对可靠性的要求。
二、产品特点
齐纳二极管设计： VS3V3BB1EST15R采用齐纳二极管结构，具备一条双向通道，能够在反向电压超出其击穿电压时迅速导通，从而有效保护后级电路，避免过压对元件造成破坏。
工作参数：
- 反向断态电压：典型值为3.3V，适合用于需要低电压工作环境的设备。
- 击穿电压：最小值为4V，确保一旦电压超过这一值，器件能够迅速反应。
- 电压箝位：在不同峰值脉冲条件下，其最大箝位电压可达到8.2V，有效抑制过电压冲击。
高脉冲处理能力：
- 峰值脉冲电流可高达5.5A（以10/1000µs脉冲进行测评），能够承受突发电流带来的损害。
- 功率峰值可达45W，说明其在高瞬态功率下依然能保持良好的稳定性。
频率特性： 在1MHz时的电容值为10pF，表明该器件在高频信号下仍具备良好的电容特性，可有效应用于通信类高速电子电路。
广泛的工作温度范围： 器件的工作温度范围广，从-55°C到150°C，能够适应不同环境条件下的应用需求，增强了其应用的灵活性。
三、应用领域
VS3V3BB1EST15R广泛适用于各类电子设备的保护，包括但不限于：
- 消费电子：手机、平板电脑、笔记本电脑等，保护其内部电子组件不受静电或浪涌电压的损害。
- 通讯设备：路由器、交换机和其他网络设备，确保信号传输的稳定性和可靠性。
- 工业设备：在一些工业控制系统中，VS3V3BB1EST15R可以保护设备免受外部电击或脉冲的影响。
- 汽车电子：自动驾驶及连接功能强大的汽车电子设备，极大地增强了抗干扰能力。
四、封装与安装
VS3V3BB1EST15R采用表面贴装型设计，封装为DSN0603-2、SOD-962和SMD0603几种形式，具有极小的体积，便于高密度电路板应用。其表面贴装的特性也简化了自动化生产流程，提高了生产效率。
五、总结
总而言之，VS3V3BB1EST15R是一款高度可靠的静电和浪涌保护器件，其优越的电气特性和广泛的应用前景使得它成为现代电子设备中不可或缺的重要组成部分。随着电子技术的快速发展，ROHM推出的这款产品能够有效保护各种应用中的敏感元器件，为消费者和生产商提供更高的安全和价值。无论是在消费电子、通讯设备还是工业智能系统中，VS3V3BB1EST15R都展现出了极其优异的性能，将静电和浪涌问题的影响降至最低，为设计师提供了可靠的解决方案。