2SD2675TL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SD2675TL

商品编码: BM0084329980
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TSMT3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 30V 1A NPN TSMT3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.925
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.925
--
200+
¥0.638
--
1500+
¥0.581
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SD2675TL参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)350mV @ 25mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)270 @ 100mA,2V
功率 - 最大值500mW频率 - 跃迁320MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-96供应商器件封装TSMT3

2SD2675TL手册

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2SD2675TL概述

产品概述:2SD2675TL NPN晶体管

一、概述

2SD2675TL 是一款高性能的NPN型三极管,特别设计用于各种开关和放大应用。它集成了先进的半导体技术,能够在多种工作环境下可靠运行。此款晶体管的主要特点包括其相对较高的电流承载能力(最大1A)和较大的电压耐受范围(最大30V),使得它在消费电子、工业控制以及汽车电子等多个领域中具有广泛的应用。

二、关键参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流 (Ic): 最大1A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大30V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在不同电流下表现出良好的饱和特性,最大值为350mV(在25mA时)和500mV(在500mA时),这为功率损耗的控制提供了便利。
  • 截止电流 (ICBO): 最大100nA,表明了其在开启和关闭状态之间的优异性能,与节能电路设计相辅相成。
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值为270,针对100mA的集电极电流和2V的基极-发射极电压,显示出其在放大电流方面的能力。
  • 最大功耗: 500mW,适合于高效率设计。
  • 工作频率: 具备320MHz的跃迁频率,能够支持多种高速应用。
  • 工作温度: 最高工作温度可达150℃(TJ),提供了良好的热稳定性和环境适应性。

三、封装及安装

  • 封装形式: SC-96
  • 安装类型: 表面贴装型(SMT),适应现代电子设备对空间和效率的要求。
  • 供应商器件封装: TSMT3,这种封装方式保证了在自动化生产线上的高效组装和灵活性。

四、应用领域

2SD2675TL 三极管因其卓越的性能和灵活的应用范围,被广泛用于以下领域:

  1. 消费电子:如音响、电视、计算机和家用电器等,发挥其良好的放大和开关作用。
  2. 工业控制:可以用于电动机驱动、传感器接口以及信号放大等。
  3. 汽车电子:适合用于车辆的各类控制模块和电力管理系统。

五、性能优势

  • 高效能:该型号的高hFE值和低饱和压降特性,使其在高电流应用中表现优异,能够有效节省电力并降低发热。
  • 可靠性:具有较高的电压和温度承受能力,适合恶劣环境下的应用。
  • 易于集成:表面贴装的封装设计,简化了与其他组件的集成,适合现代电子生产工艺。

六、总结

2SD2675TL 是一款兼具高效率、稳定性和广泛适用性的NPN三极管,适宜在各种严苛的电子应用中使用。无论是作为信号放大器还是开关元件,其高性能将为终端应用提供坚实的支持。凭借ROHM卓越的制造工艺,2SD2675TL 不仅能够满足现代消费者的期望,还能够超越行业标准,为各领域的电子设备提供可靠的解决方案。