2SD2654TLW 产品实物图片
2SD2654TLW 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SD2654TLW

商品编码: BM0084329978
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN SC-75(SOT-416)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.66
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.66
--
200+
¥0.426
--
1500+
¥0.371
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SD2654TLW参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)300nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)820 @ 1mA,5V
功率 - 最大值150mW频率 - 跃迁250MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-75,SOT-416供应商器件封装EMT3

2SD2654TLW手册

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2SD2654TLW概述

产品概述:2SD2654TLW NPN三极管

1. 概述

2SD2654TLW是一款由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)生产的NPN型晶体管,适用于各种中低功率电子应用。这款三极管以其高增益、低饱和压降和广泛的工作频率而闻名,成为设计师和工程师在构建放大器、开关电路等电子方案时的重要选择。

2. 基本参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流(Ic): 150mA
  • 最大集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 饱和压降(Vce(sat)): 最大值为300mV,适用于不同的Ib和Ic(如5mA、50mA)
  • 集电极截止电流(ICBO): 最大值为300nA,展示了其良好的关断特性
  • 直流电流增益(hFE): 在1mA的偏置电流和5V的电压条件下,最小值为820,表明该晶体管具有优异的增益性能
  • 最大功率: 150mW,适合于多种中等功率应用
  • 频率特性: 越界频率高达250MHz,使其适合高频信号处理
  • 工作温度范围: 可在高达150°C(TJ)下稳定运行,适合高温环境

3. 封装与安装

  • 封装类型: 该晶体管采用SC-75(SOT-416)封装,具有小体积、轻量和良好的热散能力,便于在空间受限的电路板上实现高密度布局。
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),适合现代电子设备的自动化焊接和小型化需求。

4. 应用场合

2SD2654TLW可广泛应用于以下场合:

  • 开关电路: 鉴于其快速的响应时间和高击穿电压,该晶体管适合用于数字电路中的开关控制,驱动继电器和其他负载。
  • 放大器电路: 在音频和射频应用中,其高增益特性使其成为理想的信号放大器,能够高效放大微弱信号。
  • 温度监测: 由于能够在高达150°C的环境中稳定工作,这款三极管适合用于温度传感器和其他高温应用的电路设计。

5. 性能优势

  • 高增益: 820的最小hFE值为设计提供了更大的灵活性,使得在较低的输入电流下仍能实现高效的输出控制。
  • 低饱和压降: 在开关模式中,300mV的饱和压降降低了功耗,从而提高电路的总体效率。
  • 高频响应: 250MHz的跃迁频率使得该器件能够在高速信号处理时保持可靠性,适用于高性能通信设备。
  • 宽工作温度范围: 其高工作温度限制使其能够应对恶劣环境,适合于汽车、工业控制和消费电子等多个领域。

6. 总结

2SD2654TLW是ROHM提供的一款性能优越的NPN三极管,以其出色的电气特性和广泛的适用性,成为了电子工程师设计各种应用电路时的重要选择。凭借其高电流增益、低饱和压降和高频性能,2SD2654TLW不仅能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求,同时也确保了在各种极端条件下的稳定性。无论是在嵌入式系统中,还是在工业控制或消费类电子中,2SD2654TLW都展示了其卓越的性价比和可靠性。