TS332IDT
TS332IDT参数
| 类型 | 通用 | 元件数 | 2 |
| 输出类型 | 开路漏极 | 电压 - 供电，单/双 (±) | 1.6V ~ 5V |
| 电压 - 输入补偿（最大值） | 5mV @ 5V | 电流 - 输入偏置（最大值） | 0.04µA @ 5V |
| 电流 - 输出（典型值） | 93mA @ 5V | 电流 - 静态（最大值） | 26µA |
| CMRR，PSRR（典型值） | 79dB CMRR | 传播延迟（最大值） | 720ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
TS332IDT手册
TS332IDT概述
TS332IDT 产品概述
概述
TS332IDT 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款低功耗、精准的比较器。该器件专为广泛的应用场景设计，支持室温和极端温度下稳定工作，具备出色的电气性能，能够满足现代电子设备对低功耗、高速度和高精度的要求。该器件的工作电压范围为1.6V至5V，适合在各种电源条件下使用。
主要特性
电源电压范围：TS332IDT 可以在1.6V到5V的宽广电压范围内工作，适合多种供电设计，特别是在电池供电的应用中展现出它的优势。
高输出电流能力：该比较器的典型输出电流为93mA@5V，能够驱动低阻抗负载，适合用作信号处理和开关控制应用。
低输入偏置电流：最大输入偏置电流仅为0.04µA，这使得该器件在传感器信号处理和高阻抗输入应用中表现优越。
优异的共模抑制比（CMRR）：CMRR的典型值为79dB，这保证了在共模信号波动的情况下，比较器仍能精确工作。
快速的传播延迟：TS332IDT 的最大传播延迟为720ns，使其适用于高速信号处理需求，适合在需要快速响应的场合使用。
宽广的工作温度范围：该器件能够在-40°C到125°C的环境温度下稳定工作，适合严酷环境下的工业、汽车和消费电子应用。
小型封装：TS332IDT 采用 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）封装，支持表面贴装，非常适合在空间受限的应用中使用。
应用场景
TS332IDT 广泛用于各种电子应用，如：
- 电池监测
- 温度传感器
- 电压比较和监测
- 自动化控制器
- 基于模拟信号的界面电路
- 汽车电子（如电池管理系统）
- 工业设备监控
根据其低功耗和高性能特点，TS332IDT 是非常适合用于那些对功耗敏感且需要高精度信号处理的项目。
总结
TS332IDT 是一款综合性能强劲的比较器，在众多应用领域具有广泛的适用性和独特优势。它的低功耗特性、高电流输出以及宽泛的工作电压和温度范围，使得TS332IDT可以满足多种现代电子设备的需求。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，该比较器都能提供稳定可靠的性能。
借助意法半导体在模拟器件领域的深厚技术积累，TS332IDT 不仅为设计师提供了灵活性，还能帮助他们在满足严苛的性能标准的同时，节省设计和生产成本，是一款值得推荐的电子元件。