STD2N80K5
STD2N80K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | 30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 95pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD2N80K5手册
STD2N80K5概述
产品概述：STD2N80K5 N 通道 MOSFET
一、基本信息
STD2N80K5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）。该器件专为高电压和中等电流的应用场景而设计，具有800V的漏源电压（Vdss），非常适合用于高压开关电源和电力电子设备。其连续漏极电流（Id）为2A，并且在很宽的工作温度范围内运行，便于满足各种工业和消费类电子设备的需要。
二、重要参数
漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的漏源电压高达800V，使其能够在高压环境中可靠工作。
持续漏极电流（Id）: 在25°C 时，持续漏极电流为2A，这使得该器件可以在相对高的负载下稳定运行。
导通电阻（Rds(on)）: 在10V 的栅源电压下，当电流为1A 时，最大导通电阻为4.5Ω，低导通电阻可以减少在工作中热量的产生，提高整体效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为5V，允许其在较低的栅压下导通，增强了电路设计的灵活性。
栅极电荷（Qg）: 在10V 的栅压下，栅极电荷的最大值为3nC，这表明其在开关过程中需要较小的栅驱动能量，适合高频开关应用。
工作温度范围: 该器件能在-55°C 至 150°C 的宽温度范围内可靠工作，满足不同环境条件下的应用需求。
封装类型: STD2N80K5 采用 DPAK（TO-252-3）封装，适合表面贴装，便于自动化加工及密集布局的应用场景。
三、应用场景
STD2N80K5 是一款多功能的 MOSFET，广泛应用于以下领域：
开关电源: 在高频开关电源（SMPS）中，利用其高电压承受能力和低导通电阻特性，提升电源转换的效率。
电动汽车和混合动力汽车: 该器件可以用于动力传输或电池管理系统，帮助实现高效的电力控制。
电机驱动: 可作为电机驱动电路的开关元件，控制电机的启动、停止和调速。
逆变器: 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，STD2N80K5具备高压和高频开关的特性，优于传统的开关器件。
负载开关: 可用于各种消费电子、家电中的负载开关，提供可靠的开关控制。
四、总结
STD2N80K5 N 通道 MOSFET 提供了卓越的性能，适合于高压与中等电流的各种电子应用。其高电压、高功率容限、宽工作温度范围以及小型化封装设计，使之成为现代电力电子设计中的理想选择。无论是在工业设备、消费电子、还是新能源汽车等领域，STD2N80K5 都能发挥重要作用，帮助推动更高效的电力转换和管理技术。选择 STD2N80K5，您将获得一种兼具可可靠性及出色性能的高端MOSFET方案，为您的产品增添竞争优势。