IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 30A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 60A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.3V @ 15V,15A | 功率 - 最大值 | 259W |
开关能量 | 550µJ(开),850µJ(关) | 输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 53nC | 25°C 时 Td(开/关)值 | 26ns/122ns |
测试条件 | 600V,15A,22 欧姆,15V | 反向恢复时间 (trr) | 270ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商器件封装 | TO-247 长引线 |
STGWA15M120DF3 是一种高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。它采用了沟槽型场截止技术,具有优良的开关特性和热稳定性,适用于多种高压和大电流应用。这款IGBT设计用于在电力电子转换、驱动控制以及工业自动化等领域实现高效能和低损耗的电力管理。
STGWA15M120DF3 采用TO-247-3长引线封装,适合通孔安装。TO-247封装不仅维护方便,且其引脚设计使得散热性能更佳,适合在高功率应用中降低过热风险,提升元件的稳定性。
由于其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,STGWA15M120DF3被广泛应用于以下领域:
STGWA15M120DF3是一款功能强大的IGBT,兼具高电压、高电流承载能力和优异的开关性能,使其在电力电子及相关行业应用中发挥重要作用。无论是在严苛的环境条件下,还是在高频率、高效率的电力转换中,STGWA15M120DF3均展现出其卓越的性能,成为电子设计工程师的理想选择。