功率(Pd) | 55W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 66.8pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.562nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 30A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
30N06是一款高性能的N沟道MOSFET(场效应管),由友台半导体(UMW)生产,封装形式为TO-252(DPAK)。该器件适用于多种中高频率开关电源和功率控制应用,能有效驱动高达30A的电流,同时承受高达60V的电压。由于其优越的电子特性和可靠性,30N06被广泛应用于电源管理、电机驱动、LED驱动、和其他需要高效能开关的电路中。
30N06 MOSFET的应用领域十分广泛,主要集中在以下几个方面:
开关电源:广泛应用于DC-DC转换器、AC-DC电源等设备中。它的高开关频率和低导通损耗使得其能有效提高电源的工作效率。
电机驱动:在一些需要快速开关和高效控制的电机驱动电路中,30N06能够稳定地处理高电流和高电压,确保电机的平稳运行。
LED驱动:在LED驱动电路中,30N06可用作开关器件,控制LED的开关,从而调节亮度并提高能源利用效率。
电子负载:可用于电子负载测试设备,能够为负载提供稳定的电流输出,帮助开发和验证其他电子器件。
逆变器:在逆变器中,30N06可用于控制输出功率的开关,大幅提高逆变效率。
低导通电阻(Rds(on)):30N06MOSFET具备低导通电阻的特性,这意味着在通电状态下示出的损耗极小,从而提高了电路的整体效率,减少了发热。
高开关速度:其较高的开关速度使得该MOSFET适用于高频率的开关应用,有助于改善电源转换效率和响应时间。
热管理能力:TO-252封装设计使得30N06该器件具有优良的散热性能,能够在高功率应用中良好表现,并确保长期稳定工作。
可靠性和稳定性:凭借其坚固的封装和出色的热管理,30N06在各种外部环境下均能可靠地工作,有效降低故障率。
选择30N06 MOSFET的理由包括:
30N06是一款具有高级性能的N沟道MOSFET,凭借其多样的应用领域和优越的电子特性,在现代电子设备设计中具备重要地位。无论是在电源管理、电机控制还是照明解决方案中,这款MOSFET都能作为理想的开关解决方案,帮助设计者实现高效、可靠的电路设计。随着科技的不断进步,30N06将继续作为电子元器件领域的重要一员,推动更多创新应用的实现。