30N06 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

30N06

商品编码: BM0084329879
品牌 : 
UMW(友台半导体)
封装 : 
TO-252-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 55W 60V 30A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
991(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.624
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.624
--
100+
¥0.36
--
1250+
¥0.355
--
2500+
¥0.35
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

30N06参数

功率(Pd)55W反向传输电容(Crss@Vds)66.8pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.562nF@25V连续漏极电流(Id)30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

30N06手册

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30N06概述

30N06 产品概述

一、产品简介

30N06是一款高性能的N沟道MOSFET(场效应管),由友台半导体(UMW)生产,封装形式为TO-252(DPAK)。该器件适用于多种中高频率开关电源和功率控制应用,能有效驱动高达30A的电流,同时承受高达60V的电压。由于其优越的电子特性和可靠性,30N06被广泛应用于电源管理、电机驱动、LED驱动、和其他需要高效能开关的电路中。

二、主要参数

  • 类型:N沟道MOSFET
  • 功率:最大功率承受约为55W
  • 电压:工作电压可达60V
  • 电流:持续工作电流可达30A
  • 封装形式:TO-252(DPAK)
  • 环境温度范围:-55°C至+150°C

三、应用领域

30N06 MOSFET的应用领域十分广泛,主要集中在以下几个方面:

  1. 开关电源:广泛应用于DC-DC转换器、AC-DC电源等设备中。它的高开关频率和低导通损耗使得其能有效提高电源的工作效率。

  2. 电机驱动:在一些需要快速开关和高效控制的电机驱动电路中,30N06能够稳定地处理高电流和高电压,确保电机的平稳运行。

  3. LED驱动:在LED驱动电路中,30N06可用作开关器件,控制LED的开关,从而调节亮度并提高能源利用效率。

  4. 电子负载:可用于电子负载测试设备,能够为负载提供稳定的电流输出,帮助开发和验证其他电子器件。

  5. 逆变器:在逆变器中,30N06可用于控制输出功率的开关,大幅提高逆变效率。

四、技术优势

  1. 低导通电阻(Rds(on)):30N06MOSFET具备低导通电阻的特性,这意味着在通电状态下示出的损耗极小,从而提高了电路的整体效率,减少了发热。

  2. 高开关速度:其较高的开关速度使得该MOSFET适用于高频率的开关应用,有助于改善电源转换效率和响应时间。

  3. 热管理能力:TO-252封装设计使得30N06该器件具有优良的散热性能,能够在高功率应用中良好表现,并确保长期稳定工作。

  4. 可靠性和稳定性:凭借其坚固的封装和出色的热管理,30N06在各种外部环境下均能可靠地工作,有效降低故障率。

五、选择理由

选择30N06 MOSFET的理由包括:

  • 优质品牌:UMW作为电子元器件行业中的知名厂家,其产品质量得到了广泛认可和信赖。
  • 性价比高:与同类产品相比,30N06在性能和价格之间提供了良好的平衡,是设计中的经济有效的选择。
  • 易于使用:该器件的封装形式使得其在PCB布局和焊接过程中简便,广泛适应不同电路设计需求。

六、总结

30N06是一款具有高级性能的N沟道MOSFET,凭借其多样的应用领域和优越的电子特性,在现代电子设备设计中具备重要地位。无论是在电源管理、电机控制还是照明解决方案中,这款MOSFET都能作为理想的开关解决方案,帮助设计者实现高效、可靠的电路设计。随着科技的不断进步,30N06将继续作为电子元器件领域的重要一员,推动更多创新应用的实现。