RB886CMT2R
RB886CMT2R参数
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 10mA（DC） | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr、F 时电容 | 0.53pF @ 1V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOD-923 | 供应商器件封装 | VMN2M |
| 工作温度 - 结 | 150°C | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 5V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 350mV @ 1mA | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 120µA @ 5V |
RB886CMT2R手册
RB886CMT2R概述
产品概述：RB886CMT2R 肖特基二极管
1. 基本信息
RB886CMT2R 是由 Rohm Semiconductor 生产的一款高性能肖特基二极管。它采用表面贴装型（SMD）封装，型号为 SOD-923，具有紧凑尺寸，便于在空间有限的电路板上装配。该器件特别适用于低功耗和高效率的电子应用，是现代电子设备中不可或缺的重要组件。
2. 主要特点
肖特基特性：RB886CMT2R 是一款肖特基二极管，其优势在于具有低正向电压（Vf），这使得该器件在导通状态下产生的功耗极小，尤其适合需要高效率和低功耗的电源管理方案。
额定电流：该器件的平均整流电流为 10mA（直流），适用于小信号应用，如电子信号的整流和保护电路。
快速响应：RB886CMT2R 具有高达 200mA 的小信号电流响应能力，适合于各种快速切换的应用。
低正向电压：在 1mA 的条件下，正向电压仅为 350mV，有助于降低功耗，提高系统效率。
反向电流泄漏：在 5V 的条件下，该二极管的反向泄漏电流为 120µA，这一特性使其在应用中可以更有效地控制功耗，适合于电源和信号脉冲的保护。
高工作温度：RB886CMT2R 的结温可承受高达 150°C 的工作环境，适用于高温应用和严格的工作条件。
3. 电气特性
最大 DC 反向电压 (Vr)：此二极管的最大反向电压为 5V，使其能够在大多数低压应用中使用，确保设备长期稳定运行。
电容量：在 1V 和 1MHz 的频率下，其电容值为 0.53pF，支持高频信号的通行，减少信号失真，在高频应用中表现优越。
4. 应用场景
RB886CMT2R 由于其优秀的电气特性，广泛应用于多个场合，包括但不限于：
电源管理：用作整流，尤其是在开关电源和替代传统二极管的电路中，提升整体转换效率。
信号保护：在数字电路中保护敏感组件，防止反向电压损害。
转换电路：在各种应用中作为 DC-DC 转换器的整流元件，提升效率。
封装小型设备：由于其小巧的 SOD-923 封装，使其特别适用于空间有限的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和其他消费电子产品。
5. 竞争优势
与传统二极管相比，RB886CMT2R 的肖特基特性使其在低电压、高速切换方面具备更好的性能。其低 Vf 和较低的反向泄漏电流，帮助设计师在维护系统稳定性和提高效率的同时，满足现代电子设备对于功耗的严格要求。
6. 总结
RB886CMT2R 肖特基二极管是 Rohm Semiconductor 为满足现代电子工业需求而设计的一款高效能产品。凭借其出色的电气特性和高温耐受能力，RB886CMT2R 是实现可靠电源管理和保护解决方案的理想选择。无论是在设计初期还是在改善现有产品性能时，都能为工程师提供强有力的支持。