配置 | 3 个独立式 | 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 8.2V |
容差 | ±6% | 功率 - 最大值 | 200mW |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 Ohms | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 700nA @ 5V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
BZX84C8V2TS-7-F 是美台(DIODES)公司推出的一款高可靠性齐纳二极管阵列,设计用于提供稳压和过压保护。该器件具有三个独立的齐纳二极管,标称齐纳电压为8.2V,最大功耗为200mW,适合多种电路应用,特别是在面向小型化和高效能的电子产品中表现出色。
三合一设计:BZX84C8V2TS-7-F 提供了三条独立的齐纳二极管,每个均可独立使用,在多路配置中可提供更好的可靠性和灵活性,满足多种电压需求。
高温耐受性:产品的工作温度范围广泛,从-65°C到150°C,适合在各种恶劣环境下工作,特别适合需要高温和低温应用的行业,如航空航天、汽车电子等。
低反向泄漏电流:700nA的反向泄漏电流在5V时表现出色,确保了在正常工作条件下的高效能和低供电损耗。
小型化封装:SOT-363封装使得BZX84C8V2TS-7-F在电路设计中占用空间更小,适用于高集成度的设计需求,同时便于自动化贴装和生产。
良好的电气性能:最大15 Ohms的阻抗与低正向电压特性使其在提供稳定的参考电压上表现稳健,适合各种线性电源和信号整形电路应用。
BZX84C8V2TS-7-F 齐纳二极管阵列广泛应用于以下场景:
BZX84C8V2TS-7-F 齐纳二极管阵列凭借其三合一设计、出色的电气性能、优越的温度特性和小型封装,成为现代电子设备中不可或缺的重要组件。无论是在消费电子产品、工业设备或是新能源汽车的应用中,均能提供可靠的压制能力和稳压效果,是电子设计领域中非常实用的选择。由美台(DIODES)公司制造,保证了产品的高品质和稳定性,为客户的设计提供了更多的可能性和灵活性。