BZX84C8V2TS-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BZX84C8V2TS-7-F

商品编码: BM0084329855
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
二极管 齐纳 阵列 3 个独立式 8.2 V 200 mW ±6% SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.713
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.713
--
50+
¥0.492
--
1500+
¥0.447
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

BZX84C8V2TS-7-F参数

配置3 个独立式电压 - 齐纳(标称值)(Vz)8.2V
容差±6%功率 - 最大值200mW
阻抗(最大值)(Zzt)15 Ohms不同 Vr 时电流 - 反向泄漏700nA @ 5V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA工作温度-65°C ~ 150°C
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

BZX84C8V2TS-7-F手册

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无数据

BZX84C8V2TS-7-F概述

产品概述:BZX84C8V2TS-7-F 齐纳二极管阵列

一、产品简介

BZX84C8V2TS-7-F 是美台(DIODES)公司推出的一款高可靠性齐纳二极管阵列,设计用于提供稳压和过压保护。该器件具有三个独立的齐纳二极管,标称齐纳电压为8.2V,最大功耗为200mW,适合多种电路应用,特别是在面向小型化和高效能的电子产品中表现出色。

二、技术参数

  • 齐纳电压(Vz): 8.2V
  • 功率最大值: 200mW
  • 容差: ±6%
  • 最大阻抗(Zzt): 15 Ohms
  • 反向泄漏电流: 700nA @ 5V
  • 正向电压(Vf): 900mV @ 10mA
  • 工作温度范围: -65°C ~ 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装类型: SOT-363(6-TSSOP,SC-88)

三、产品特点

  1. 三合一设计:BZX84C8V2TS-7-F 提供了三条独立的齐纳二极管,每个均可独立使用,在多路配置中可提供更好的可靠性和灵活性,满足多种电压需求。

  2. 高温耐受性:产品的工作温度范围广泛,从-65°C到150°C,适合在各种恶劣环境下工作,特别适合需要高温和低温应用的行业,如航空航天、汽车电子等。

  3. 低反向泄漏电流:700nA的反向泄漏电流在5V时表现出色,确保了在正常工作条件下的高效能和低供电损耗。

  4. 小型化封装:SOT-363封装使得BZX84C8V2TS-7-F在电路设计中占用空间更小,适用于高集成度的设计需求,同时便于自动化贴装和生产。

  5. 良好的电气性能:最大15 Ohms的阻抗与低正向电压特性使其在提供稳定的参考电压上表现稳健,适合各种线性电源和信号整形电路应用。

四、应用场景

BZX84C8V2TS-7-F 齐纳二极管阵列广泛应用于以下场景:

  • 稳压电源:用于为敏感电子元件如微控制器、模拟器件等提供稳定的参考电压,保护电路不受过电压干扰。
  • 波形整形:可以和其他电路元件配合使用,以改善波形质量,降低信号干扰。
  • 电平移位:在多种电信号应用中作为电平转换器,确保信号在不同电压级别间转换时的稳定性和准确性。
  • 过压保护:保护电路中的元件不受意外过压对其造成的损害,延长设备的使用寿命。

五、总结

BZX84C8V2TS-7-F 齐纳二极管阵列凭借其三合一设计、出色的电气性能、优越的温度特性和小型封装,成为现代电子设备中不可或缺的重要组件。无论是在消费电子产品、工业设备或是新能源汽车的应用中,均能提供可靠的压制能力和稳压效果,是电子设计领域中非常实用的选择。由美台(DIODES)公司制造,保证了产品的高品质和稳定性,为客户的设计提供了更多的可能性和灵活性。