FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A(Ta),900mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 400 毫欧 @ 600mA,4.5V,700 毫欧 @ 430mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.1pC,0.7pC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 42pF,49pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 500mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | TSOT-26 |
产品描述
DMC2710UVT-13是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),主要由N沟道和P沟道MOSFET组合而成,适用于多种开关和功率管理应用。这款器件的特点是高导通效率,低导通电阻和广泛的工作温度范围,迎合了现代电子设备对高导电性和散热性能的苛刻要求。
电气特性
DMC2710UVT-13的漏源电压(Vdss)为20V,使其在相对较低的电源电压下仍然能够稳定工作。其25°C时的连续漏极电流(Id)达到1.2A(在空气温度下),而在更高温度下则可支持900mA的电流,这为实际应用提供了灵活性。此外,该器件在不同的Id和Vgs条件下,其导通电阻最大值分别为400毫欧(600mA,4.5V)和700毫欧(430mA,4.5V),这些值表明其在高电流条件下的低压降特性,显著减少了功率损耗。
栅极和输入电容参数
DMC2710UVT-13的Vgs(th)最大值为1V(在250µA下测量),这表示在较低电压下即能开启导通,从而提高了开关速度。栅极电荷QG的最大值为0.1pC和0.7pC(在4.5V下),标志着低栅极驱动要求,适合高频开关应用。此外,输入电容(Ciss)最大值为42pF和49pF(在16V下),那意味着其在实现高频操作时具有较低的输入阻抗,为设计者提供了良好的驱动特性。
功率和热性能
该产品的最大功率为500mW(在环境温度Ta下),具有优越的散热性能。工作温度范围宽广,从-55°C到150°C(TJ),使得DMC2710UVT-13能够在严苛的环境条件下运行,适用于各种工业及消费电子产品。
封装与兼容性
DMC2710UVT-13采用TSOT-26封装,属于表面贴装型器件。这种细型封装非常适合用于空间受限的应用中,能够为电路板设计提供更大的布局灵活性。其兼容性良好,适合大多数基于SMD(表面贴装技术)的电路。
应用领域
DMC2710UVT-13广泛应用于电源管理、开关电源、LED驱动、电机驱动和其他高电流开关应用中。特别是在便携式设备、消费类电子及汽车电子领域中,它的低导通电阻和广温度范围的特性使得其成为理想选择。
品牌与供应商
该产品由DIODES(美台)制造,享有良好的市场声誉和用户反馈。DIODES以其优质的半导体解决方案和可靠的技术支持著称,是许多设计师和工程师的首选品牌。
总结
总之,DMC2710UVT-13凭借其出色的电气特性、可靠的工作性能以及灵活的封装选择,为电子设计师在高效能电源管理和开关应用中提供了卓越的解决方案。其广泛的应用潜力和创新设计使其成为现代电子产品设计中不可或缺的重要组成部分。无论是在高频开关应用还是高电流传输,它都将为系统设计带来更多可能,确保电子设备的高效运行。