DZ9F4V1S92-7 产品实物图片
DZ9F4V1S92-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DZ9F4V1S92-7

商品编码: BM0084329760
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOD923
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.338
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.338
--
150+
¥0.241
--
1000+
¥0.22
--
5000+
¥0.207
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

DZ9F4V1S92-7参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)4.1V容差±5%
功率 - 最大值200mW阻抗(最大值)(Zzt)100 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 1V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOD-923供应商器件封装SOD-923

DZ9F4V1S92-7手册

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DZ9F4V1S92-7概述

DZ9F4V1S92-7 产品概述

DZ9F4V1S92-7 是 DIODES(美台)公司推出的一款高性能齐纳二极管,专为满足各种电子电路中对稳压和过电压保护的需求而设计。凭借其可靠的性能参数和适应性,该器件广泛应用于电源管理、信号调节及保护电路等领域。

1. 基本参数

DZ9F4V1S92-7 的齐纳电压为 4.1V,容差为 ±5%。该齐纳二极管在保持稳定电压的同时,能够承受的最大功率为 200mW,这使得其在多种应用场景中表现出色。

在反向特性方面,该器件的反向漏电流非常小,仅为 5µA @ 1V,这一特性尤其适用于低功耗设计与电池供电的设备中。其反向阻抗(Zzt)最大为 100 Ohms,确保了在严苛条件下的稳固性能。

2. 正向特性

DZ9F4V1S92-7 同样在正向导通时表现出良好的特性。其正向电压(Vf)为 900mV @ 10mA,这意味着在正常工作条件下,器件的正向压降较低,有助于提高电路的能量效率,降低热消耗。

3. 工作温度范围

该二极管具备广泛的工作温度范围,从 -65°C 到 150°C(TJ),能够适应广泛的环境条件。这一特性使得 DZ9F4V1S92-7 成为航空航天、汽车电子及工业应用等高要求场景中的理想选择。

4. 物理特性与封装

DZ9F4V1S92-7 采用表面贴装型设计,封装为 SOD-923。这种封装方式不仅有助于降低电路板的尺寸,而且方便自动化贴装,适合于现代高速生产线的需求。同时,SOD-923 封装也提供了良好的热导性能,增强了器件在工作过程中的稳定性。

5. 适用应用

DZ9F4V1S92-7 齐纳二极管可广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:在电源转换器及电源适配器中,用于稳压与调整输出电压,防止电压过高对元器件造成损坏。
  • 信号调节:在信号处理电路中提供稳压支持,使得信号传输更加可靠。
  • 保护电路:作为过电压保护器件,能够在瞬时电压增高时迅速反应,维护系统安全。

6. 结论

综上所述,DZ9F4V1S92-7 是一款具有卓越性能的齐纳二极管,其优越的电气特性和适应性使其广泛适用于现代电子设备。凭借其小型表面贴装封装及优秀的温度范围,该器件不仅能够满足高要求应用的需求,同时也能在各种工作条件下实现可靠的性能,是您电子设计中理想的选择。