DZ9F4V7S92-7
DZ9F4V7S92-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 容差 | ±5% |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOD-923 | 供应商器件封装 | SOD-923 |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 100 Ohms | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 1V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
DZ9F4V7S92-7手册
DZ9F4V7S92-7概述
产品概述：DZ9F4V7S92-7
DZ9F4V7S92-7是一款由Diodes Incorporated制造的高性能齐纳二极管，专为各种电子应用中的稳压和电压钳制需求而设计。该产品采用表面贴装型（SMD）封装，型号为SOD-923，具备高可靠性和稳固的热稳定性，广泛应用于电力管理、信号保护和各种模拟电路中。
主要特性：
工作温度范围： DZ9F4V7S92-7在极端温度条件下表现优越，工作温度范围为-65°C至150°C。这使得该器件在严苛的环境条件下仍能正常运行，适用于航空航天、汽车电子和工业自动化等领域。
电压特性： 该器件的标称齐纳电压（Vz）为4.7V，能够有效地维护特定的电压水平，从而保护下游电路免受过压情况的影响。其最大反向电流泄漏为2µA（在1V时），确保在静态时电路的功耗非常低。
功率及阻抗： DZ9F4V7S92-7的最大功率为200mW，能够在多种负载条件下提供稳定的性能。其最大阻抗（Zzt）为100欧姆，有助于确保信号完整性并降低可能出现的信号失真。
正向电压： 在10mA的正向电流下，该器件顺向电压（Vf）为900mV，展现出优良的导通特性，适合使用于高频和低功耗应用。
封装特性： 小巧的SOD-923封装有助于在空间受限的电路板中实现高密度布局，同时采用卷带包装形式（TR），便于自动化生产和大规模安装，降低了生产成本和时间压力。
应用领域：
DZ9F4V7S92-7齐纳二极管的广泛应用场景包括但不限于：
- 电源管理：在电源电路中控制和稳定电压，以防止电压波动对电路组件造成的损害。
- 信号钳制：有效保护敏感电子设备免受瞬态电压源造成的破坏，确保设备长期稳定运行。
- 电路保护：用于提供过压保护，延长其他电子组件的使用寿命。
- 电信和数据通信：在数据和通信线路中，确保信号的完整性和稳定性。
总结：
DZ9F4V7S92-7的设计满足了现代电子应用对小型化、功能集成和高性能的需求。在保证稳压及过压保护的基础上，该器件兼具优秀的电气特性和可靠性，特别适合作为各种电子设备的核心保护元件。无论是在新的设计项目还是现有设备的改造中，DZ9F4V7S92-7均是值得信赖的选择，帮助工程师和设计师实现高效、灵活且安全的电路解决方案。