FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 72 毫欧 @ 4.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15.9nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 708pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
DMP3068L-13 是美台(DIODES)公司推出的一款高性能P沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备以及电源管理系统中。该器件以其优越的电气特性和可靠性,成为设计工程师在电源控制、开关电源及小型电机驱动等应用领域的重要选择。
FET 类型及技术:
电压和电流规格:
低导通电阻:
Vgs(th) 和驱动电压:
栅极电荷:
广泛的工作温度范围:
功率耗散与封装:
DMP3068L-13 的特性使其广泛应用于各类电子产品中,包括:
总之,DMP3068L-13 以其卓越的性能和可靠性,成为许多应用场景中的热门选择。其优质的电气参数、宽广的工作温度范围及适中的功耗特性,使其在新一代电子设计中,尤其是在电源管理和驱动控制领域发挥着重要的作用。在选择合适的MOSFET时,DMP3068L-13无疑是一个值得考虑的高性价比解决方案。