ULN2002A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ULN2002A

商品编码: BM0084329681
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DIP-16
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
达林顿晶体管阵列 -40℃~+85℃ DIP-16
库存 :
800(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.61
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.61
--
50+
¥2.01
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

ULN2002A参数

晶体管类型7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.6V @ 500µA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值)50µA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)1000 @ 350mA,2V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)安装类型通孔
封装/外壳16-DIP(0.300",7.62mm)供应商器件封装16-DIP

ULN2002A手册

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ULN2002A概述

ULN2002A 产品概述

产品简介

ULN2002A 是一款高性能的达林顿晶体管阵列,由意法半导体(STMicroelectronics)生产,广泛应用于各种电子设备中。作为 NPN 类型的达林顿晶体管阵列,该器件集成了多个高增益晶体管,能够实现高效的电流驱动,特别适用于电机驱动、继电器控制、灯光控制和其他高电流应用。ULN2002A 的关键参数使其在现代电子设计中成为理想选择。

技术特性

ULN2002A 具有以下重要技术特性:

  1. 电流和电压规格

    • 最大集电极电流 (Ic) 为 500mA,能够驱动各种负载。
    • 集射极击穿电压(Vce 切断电压)最高可达 50V,适应多种高电压应用场合。
  2. 增益特性

    • 在 350mA 的集电极电流下,器件的直流电流增益 (hFE) 最小可达 1000,提供极高的电流放大效率,适合要求高驱动能力的负载。
  3. 饱和压降

    • 该器件在不同的 Ib 和 Ic 条件下,饱和压降 (Vce(sat)) 的最大值达到了 1.6V(在 500µA 和 350mA 的条件下),这使得 ULN2002A 在驱动负载时能有效减少功耗及热量生成。
  4. 静态电流

    • 最大集电极截止电流为 50µA,有助于保证在静态状态下的低功耗性能,特别是在待机模式时。
  5. 温度范围

    • ULN2002A 能够在广泛的工作温度范围内(-40℃ 至 +85℃)稳定工作,确保在恶劣环境下也能正常运行,提高了设备的可靠性。
  6. 封装与安装

    • 采用 16-DIP 封装,通孔安装技术,便于与各种电路板兼容,符合设计师对于物理尺寸和空间的要求。

应用领域

ULN2002A 被广泛应用于以下领域:

  • 电机驱动:能够有效驱动步进电机、直流电机以及其他电机类型,特别适合自动化设备、机器人及小型电动车。
  • 继电器驱动:适合于控制继电器的开关,尤其在家用电器和工业自动化系统中常见。
  • 灯光控制:在舞台灯光、景观照明及其他照明装置中,ULN2002A 可用于控制高功率 LED 或其他光源。
  • 开关电源:可用于舵机驱动,热敏电阻或其他传感器应用中,提供可靠的开关控制。
  • 信号调节:该器件也常用于信号放大、转换等功能,为复杂电路提供必要的电流驱动能力。

结论

ULN2002A 达林顿晶体管阵列凭借其卓越的电流驱动能力、低功耗特性及广阔的应用范围,为工程师和设计师提供了极大的便利。无论是在自动化设备、家庭电器还是工业控制等领域,都是一种值得信赖的高效能控制解决方案。其兼容性和耐用性使得 ULN2002A 成为现代电子设备设计中的重要组件,能够在各种复杂的应用环境中发挥出色的性能。通过选择 ULN2002A,设计师能够确保其电路的高效性与稳定性,从而推动其项目的成功实施。