2STP535FP 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2STP535FP

商品编码: BM0084329674
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220FP-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
达林顿晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.74
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.74
--
100+
¥2.99
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

2STP535FP参数

晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)(最大值)8A
电压 - 集射极击穿(最大值)180V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)2.5V @ 80mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值)50µA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)1000 @ 3A,4V
功率 - 最大值37W工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装TO-220FP

2STP535FP手册

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2STP535FP概述

2STP535FP 产品概述

简介

2STP535FP 是一款高性能的 NPN 达林顿型晶体管,专为各种电力控制和开关应用而设计,其高电流增益和卓越的电流承载能力使其成为许多电子电路中的理想选择。作为意法半导体(STMicroelectronics)的一款经典产品,它在供电、功率放大及信号处理等领域表现出色,适合用于工业控制、消费电子和自动化设备等多种应用场景。

主要参数

  • 晶体管类型: NPN - 达林顿
  • 最大集电极电流(Ic): 8A
  • 最大集射极击穿电压(Vceo): 180V
  • 在不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和压降(Vce(sat)): 最大 2.5V(在 80mA,8A 时)
  • 最大集电极截止电流(Ic(b off)): 50µA
  • 在不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益(hFE): 最低 1000(在 3A,4V 时)
  • 最大功率: 37W
  • 工作温度范围: 高达 150°C (TJ)
  • 封装类型: TO-220-3
  • 安装方式: 通孔
  • 供应商器件封装: TO-220FP

设计特点

2STP535FP 的设计充分考虑了高效和高功率性能要求,其 NPN - 达林顿结构使其具有优异的电流放大特性,这使得该晶体管能够在相对较低的输入电流下,驱动较高的输出负载,以此实现电源管理和信号放大的效果。该晶体管能够承受高达 8A 的集电极电流,适用于需要大电流驱动的应用。

应用场景

  1. 电源开关: 2STP535FP 能够有效地控制高电压和大电流的电源开关,适用于电源转换器和合成电路。它的高 Vceo 值和高 Ic 承载能力使其能在多种电源条件下可靠工作。

  2. 功率放大器: 由于其较高的 DC 电流增益,2STP535FP 在音频功率放大器和射频功放中的使用非常普遍,能为音频信号提供恰当的放大。

  3. 驱动马达: 在电机控制应用中,该晶体管可以通过PWM(脉宽调制)信号有效控制电机的启停和速度,适用于电动车、自动化生产线等领域。

  4. 工业控制: 2STP535FP 足够坚固,能够承受恶劣的工作环境,非常适合于工业自动化设备中的控制和驱动电路。

可靠性和稳定性

该晶体管的工作温度范围高达 150°C,使得它在高温环境下依然保持良好的性能,适用于多种苛刻的操作条件。同时,其低集电极截止电流(50µA)和较小的饱和压降(2.5V @ 8A)的特性,进一步提高了能效和可靠性。

封装与安装

2STP535FP 采用了 TO-220FP 封装,具有优良的散热性能,能够有效降低器件在操作过程中的温升,确保其在长时间高负荷工作的情况下依然稳定。通孔安装方式使其在 PCB(印刷电路板)上的固定更加稳固和灵活,同时易于散热。

结论

2STP535FP 是一款高效、可靠且应用广泛的 NPN 达林顿晶体管,凭借其卓越的电气特性和机械强度,适用于多种需要大电流和高电压的电路设计。无论是在消费电子、工业控制还是电源模块中,2STP535FP 都能为设计人员提供强大的支持,助力现代电子设备的发展和创新。