NX7002AKVL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NX7002AKVL

商品编码: BM0084329659
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 265mW 60V 300mA 1个N沟道 TO-236AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.688
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.688
--
500+
¥0.229
--
5000+
¥0.153
--
10000+
¥0.109
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

NX7002AKVL参数

制造商Nexperia USA Inc.系列TrenchMOS™
包装卷带(TR)零件状态有源
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)190mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 欧姆 @ 100mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250µA
Vgs(最大值)±20V功率耗散(最大值)265mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-236AB封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源电压(Vdss)60V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)0.43nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)20pF @ 10V

NX7002AKVL手册

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NX7002AKVL概述

产品概述:NX7002AKVL N沟道MOSFET

一、基本信息

NX7002AKVL 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,属于 TrenchMOS™ 系列,采用表面贴装型封装(TO-236AB)。该产品设计用于广泛的电子应用场景,以其优异的电性能和高温工作特性而受到欢迎。

二、关键特性

  1. 电流能力

    • NX7002AKVL 在25°C的环境下,具有190mA的连续漏极电流(Id),适合电流需求相对较小的应用。
  2. 工作电压

    • 该 MOSFET 的漏源电压(Vdss)最大可达60V,满足了多数低压电源管理和开关应用的需求。
  3. 导通电阻

    • 在10V的栅极驱动电压下,当漏极电流为100mA时,该器件的导通电阻(Rds(on))最大值为4.5Ω,表明在高电流情况下仍能有效降低功耗和热量产生。
  4. 栅极驱动电压

    • NX7002AKVL 的最大栅极驱动电压(Vgs)为±20V,适合于多种标准化驱动电路。
  5. 温度范围

    • 该器件具有广泛的工作温度范围,从-55°C到150°C,适合高温和低温环境下的应用。
  6. 功率耗散能力

    • 最大功率耗散能力为265mW,适合在低功耗电路中使用。
  7. 电容特性

    • 输入电容(Ciss)最大值为20pF,这使得其在高频开关应用中表现出色。栅极电荷(Qg)最大为0.43nC,提供快速的开关速度,以提高开关效率。

三、应用领域

NX7002AKVL 适用于以下几个主要应用领域:

  1. 电源管理:该 MOSFET 可以用于电源开关,提供高效的功率控制,广泛应用于DC-DC转换器、线性稳压器等。

  2. 负载开关:其小巧的TO-236AB封装使其易于在狭小空间中有效集成,用于开关复位、小型电机、照明等设备的控制。

  3. 高温环境应用:因其专有的材料和设计,NX7002AKVL 在汽车和工业设备等高温环境中的应用特别可靠。

  4. 开关模式电源(SMPS):NX7002AKVL 的快速开关特性和低导通电阻使其成为SMPS中的理想选择,有助于提升整体能效。

  5. 无线应用:其小型化和优秀的电气性能使其在无线通讯设备中,包含射频(RF)功率放大器和其他射频模块中,表现不俗。

四、结论

NX7002AKVL MOSFET 的高效能、高稳定性和低功耗特性,使其成为多种电子项目中的理想选择。凭借卓越的电气参数和可靠的工作性能,不论是在消费电子、工业自动化,还是在汽车领域,均能发挥良好的作用。Nexperia 作为该产品的制造商,以持续提供高质量的电子组件而受到业界认可,NX7002AKVL 的推出将进一步巩固其在市场上的竞争力。结合其先进的封装设计和出色的操作特性,NX7002AKVL 是设计工程师进行创新设计的不可或缺的元件。