制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 500mA,2V | 频率 - 跃迁 | 110MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
功率 - 最大值 | 490mW | 基本产品编号 | NSS1C2 |
NSS1C201LT1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能 NPN 晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)。这款三极管特别设计用于高频率和高电流应用,封装形式为SOT-23,具有优异的电气特性和广泛的工作温度范围,使其适合于多种电子产品的设计与应用。
NSS1C201LT1G 的规格使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
NSS1C201LT1G 采用 SOT-23 封装,这种表面贴装型的设计使得器件在PCB上的安装工艺更加简便。SOT-23 封装的紧凑型设计不仅能节省电路板空间,还有利于提高整体电路的性能。此类器件适合使用自动化贴片机进行高效生产,能够提高生产效率和降低制造成本。
该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,对于各类工业应用及高温环境下的工作场景,确保设备始终能够在极端气候条件下正常运行。
总体来看,NSS1C201LT1G 是一款高效、可靠的 NPN 晶体管,其在电流处理能力、频率范围以及环境耐受性方面的优异表现,使其成为电子设计中的理想选择。随着电子产品向着更高性能与小型化的发展,NSS1C201LT1G 为设计者提供了一种有效解决方案,满足现代电子应用对于高效能元件的需求。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制领域,NSS1C201LT1G 都是一个值得信赖的选择。