NTD2955T4G
NTD2955T4G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 55W（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 750pF @ 25V |
| 基本产品编号 | NTD29 |
NTD2955T4G手册
NTD2955T4G概述
NTD2955T4G 产品概述
NTD2955T4G 是由著名电子元器件制造商 ON Semiconductor 生产的一款高效能 P 通道 MOSFET（场效应管）。该器件采用 DPAK（TO-252-3）封装，设计用于表面贴装应用，适合需要高效率和高性能的电源管理、开关电源和其他高功率应用场景。
基本参数特性
1. 工作电压与电流 NTD2955T4G 的漏源电压（Vds）高达 60V，连续漏极电流（Id）可达 12A，提供了相当大的功率处理能力，适合于多种功率转换和开关应用。
2. 导通电阻与功率耗散 在 10V 的栅极驱动电压（Vgs）下，当 Id 为 6A 时，导通电阻（Rds(on)）最大值为 180 毫欧。该器件的功率耗散能力也非常出色，最大可达 55W，这样的设计使得 NTD2955T4G 能够在高电流和高温环境下稳定工作。
3. 温度特性 NTD2955T4G 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C，适合于恶劣环境下的应用需求。这一特性使其能够在航空航天、汽车及工业控制等领域获得广泛应用。
4. 栅极驱动与电容特性 该器件的最大栅极电压（Vgs）为 ±20V，使得在复杂电路中能够轻松实现栅极驱动。栅极电荷（Qg）在 10V 时最大为 30nC，输入电容（Ciss）最大为 750pF @ 25V，这些参数为设计者提供了良好的开关特性与高速响应能力，适合高频应用。
5. 关键阈值 Vgs(th)的最大值为 4V @ 250μA，表明其在低电压条件下也能实现很好的开关性能。这一特性使得 NTD2955T4G 尤其适合于低功耗的电路设计。
封装与安装方式
NTD2955T4G 采用 TO-252 封装（DPAK），是一种标准的表面贴装型封装，具有良好的散热性能和较小的占板面积。这对于设计紧凑、高效率的电源和驱动电路至关重要。DPAK 封装的设计避免了引出线过长导致的寄生效应，从而优化了开关性能。
应用领域
由于其优越的电气特性和广泛的工作温度范围，NTD2955T4G 广泛应用于各种领域，包括但不限于：
- 电源管理：作为开关元件用于高效的 DC-DC 变换器和线性稳压器中。
- 汽车电子：在电动车辆、充电设备和其他汽车内电子系统中，提供高可靠性的功率开关功能。
- 工业控制：用于马达驱动、负载切换以及其他需要高功率控制的场合。
- 消费电子：在各种家电、计算机和通信设备中，作为功率开关提高能效。
总结
NTD2955T4G 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，凭借其出色的电流处理能力、广泛的工作温度范围和优良的导通特性，为设计者提供了丰富的应用机会。无论是在电源管理、汽车电子还是工业控制中，NTD2955T4G 都能够有效提升系统性能与能效，是一款值得考虑的场效应管选择。