MMUN2211LT3G
MMUN2211LT3G参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 246mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
MMUN2211LT3G手册
MMUN2211LT3G概述
产品概述：MMUN2211LT3G
一、产品背景
在现代电子设计中，晶体管是基础的电子元器件之一，其在信号放大、开关控制和电源管理等众多应用中扮演着重要角色。MMUN2211LT3G 是一款高性能的 NPN 预偏置数字晶体管，由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造，专为满足各种电子设备的要求而设计。
二、基本参数
MMUN2211LT3G 的关键参数如下：
- 晶体管类型：NPN - 预偏置
- 集电极电流 (Ic) 最大值：100mA
- 集射极击穿电压 (Vce) 最大值：50V
- 基极电阻 (R1)：10 kΩ
- 发射极电阻 (R2)：10 kΩ
- DC电流增益 (hFE)：在5mA和10V条件下，最小值为35
- 饱和压降 (Vce(sat))：最大值250mV @ 300µA，10mA
- 集电极截止电流 (Ic(off))：最大值500nA
- 最大功率：246mW
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：SOT-23-3 (TO-236)
三、产品特性
高效能与稳定性：MMUN2211LT3G 具有较高的集电极电流承载能力（最大100mA）和较低的饱和压降（250mV），使其在高频和低功耗应用中表现出色。
宽工作电压范围：其工作电压高达50V，为设计人员提供了更大的灵活性，以适用于不同电源电压的电路。
低集电极截止电流：集电极截止电流仅为500nA，意味着该晶体管在关闭状态下几乎不消耗电流，适合电池供电的便携设备。
方便的表面贴装设计：采用 SOT-23-3（TO-236）封装，适合现代电子产品的紧凑型设计。其表面贴装特性使得安装和自动化生产更加简便，降低了生产成本。
高增益特性：在典型的工作条件下，该性质使得晶体管能够在小输入信号的情况下实现较大输出电流，增强了电路的信号放大能力。
四、应用场景
MMUN2211LT3G 适合于多种应用场合，包括但不限于：
开关电源：由于其高效能和低功耗特点，适合在开关电源管理中使用，能够有效提高电路的工作效率。
信号放大：在音频和射频应用中，重要的信号放大电路能够利用其高增益特性，提升系统的整体性能。
线性反馈控制：适合用于精确的线性控制系统，能够有效调节输出。
数字电路：可用于数字电路中的开关控制元件，提高信号的开关速度和处理能力。
五、总结
总之，MMUN2211LT3G 是一款性能卓越、稳定性强且应用广泛的 NPN 预偏置数字晶体管。其卓越的电流和电压规格、适合表面贴装的设计、以及出色的电气特性，使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在消费电子、工业应用还是其他高科技领域，都可以找到其身影，为各类电子产品的创新和性能提升提供强大支持。选择 MMUN2211LT3G，让您的设计与市场需求完美结合。