NUP2201MR6T1G
NUP2201MR6T1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 类型 | 转向装置（轨至轨） |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 5V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 6V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 20V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 8A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 500W | 电源线路保护 | 是 |
| 应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 3pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 单向通道 | 2 | 基本产品编号 | NUP2201 |
NUP2201MR6T1G手册
NUP2201MR6T1G概述
产品概述——NUP2201MR6T1G
NUP2201MR6T1G是ON Semiconductor公司推出的一款高性能转向装置，专为电源线路保护设计，能够有效应对电路中瞬态过压和反向电压事件。这款器件具备多种优越的特性和细致的设计，使其在各种电子应用中具有广泛的适用性。
主要特性
转向能力：NUP2201MR6T1G属于轨至轨转向装置类型，能够在正向和反向电流流通过程中提供高度的可靠性和保护。这一特性特别适合用于需要精确电流控制的应用。
电压规格：
- 反向断态电压：此器件的最大反向断态电压为5V，表明它在普通操作条件下能够有效防止反向电压对电路造成的损害。
- 击穿电压：其最小击穿电压为6V，保证了在高于此电压的条件下，设备能够安全工作而不会损坏。
电流承载能力：NUP2201MR6T1G的峰值脉冲电流能力高达8A（在10/1000µs脉冲期间），此参数使其能够承受瞬时过载而不会导致性能恶化。其功率峰值可达到500W，为对短时间内高功率流提供了强有力的支撑。
极速反应：该元件在不同频率下表现出3pF @ 1MHz的电容特性，显著提高了其反应速度，使其在高频应用中表现优越。
广泛的工作温度范围：该器件的工作温度范围从-40°C到125°C，确保其在严苛环境下的可靠运行。此特性使得NUP2201MR6T1G适合各种工业、汽车及消费电子领域的应用。
便捷的封装形式：NUP2201MR6T1G采用表面贴装型(SMD)封装，具体为TSOP-6封装，便于在现代自动化生产线上的高效装配，其小巧的尺寸特性也有利于高密度电路设计。
应用领域
由于NUP2201MR6T1G的卓越性能及特性，使其适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源线路保护：在电源电路中承担保护职责，有效防止瞬态过压情况。
- 汽车电子：适合用于汽车的电子控制单元及电源管理应用。
- 消费电子产品：广泛应用于各种家用电器和便携式设备中的电源保护。
- 工业控制系统：应用于工业设备电源管理和信号传输线路的保护。
结论
NUP2201MR6T1G凭借其优越的性能、广阔的工作温度范围及适应性，成为了一款非常有价值的转向保护器件。无论是在汽车电子、消费电子还是工业应用中，该器件均能够提供可靠的保护，有效增强产品的稳定性和安全性。ON Semiconductor在业界的声誉，结合NUP2201MR6T1G的出色特性，使其成为设计工程师在选用电源保护元件时的理想选择。
如需了解更多信息，或希望针对特定应用与NUP2201MR6T1G进行深入探讨，欢迎您联系ON Semiconductor的客户支持团队，获取技术资料和支持帮助。