IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 40A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,10A | 功率 - 最大值 | 30W |
开关能量 | 120µJ(开),270µJ(关) | 输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 28nC | 25°C 时 Td(开/关)值 | 19ns/91ns |
测试条件 | 400V,10A,22 欧姆,15V | 反向恢复时间 (trr) | 96ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
概述
STGF10M65DF2是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),这款器件具有650V的电压耐受能力和20A的最大集电极电流,适用于各类中高压应用。其卓越的开关性能与较低的导通损耗使其成为电力电子领域中理想的选择,特别是在逆变器和电动机驱动系统等应用场景中,能够有效提升系统的效率和性能。
基本参数
STGF10M65DF2的关键参数包括:
这些参数智慧地结合在一起,使STGF10M65DF2适合在高频率与高电压的环境中运作。
工作温度与封装
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C,确保了在极端环境下的可靠运行。STGF10M65DF2采用TO-220FP封装,这种封装方式不仅便于安装,还能有效散热,适合通孔安装,也非常适合于大功率应用的电路板设计。
开关性能
在切换特性方面,STGF10M65DF2具有极短的开关延迟时间,开关时间(Td(on))为19ns,关断延迟时间(Td(off))为91ns。这使其在高频开关应用中表现出色,能够快速响应输入信号。快速的开关时间能够减少开关过程中的能量损耗,从而提升整体效率。
应用场景
由于其出色的电气性能,STGF10M65DF2非常适合用于以下应用场景:
电动机驱动: 在各种电动机驱动应用中,STGF10M65DF2能够高效驱动并控制电动机的启动与运行,提升工作效率和响应速度。
逆变器: 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,STGF10M65DF2能够实现高效的直流转交流转换,支持可再生能源的高效利用。
开关电源: 由于能够快速开关并控制功率,该IGBT广泛用于开关电源中,以提高电源转换效率。
焊接设备: 在工业焊接设备中负责提供高功率和快速响应能力,确保焊接过程的稳定与高效。
总结
STGF10M65DF2是一款性能卓越的IGBT,结合了高电压承受力和出色的开关能力,能够在复杂及高要求的工作环境中稳定运行。随着电力电子技术的不断发展,这款器件将在工业、能源等多个领域中继续发挥重要作用,助力实现更高效、环保的电力转换与管理解决方案。无论是在新的设计还是对现有系统的改进中,STGF10M65DF2都提供了一个稳定且高效的解决方案,是工程师和设计师们值得信赖的选择。