制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V | 功率 - 最大值 | 300mW |
基本产品编号 | MMBT3904 |
MMBT3904LT3G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高性能NPN型三极管(BJT)。其设计旨在满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求。凭借其广泛的工作温度范围、出色的电流增益和较低的饱和压降,MMBT3904LT3G成为了多种应用场合中的理想选择。
MMBT3904LT3G采用的是卷带(TR)包装,适合自动化贴装。该器件状态为有源,适用于各种电子电路中的放大和开关应用。以下是其主要技术参数:
高频特性:MMBT3904LT3G具有高达300MHz的频率跃迁,能有效支持高频信号的放大,适用于射频及高速信号处理设备。
稳定的电流增益:在全工作范围内,MMBT3904LT3G展现出稳定的电流增益特性,这使得其在多种电路设计中均可保持良好的性能。
优异的散热能力:该型号三极管能够在最大150°C的工作环境下正常运行,确保其在高温条件下的可靠性,适用于严苛的工业和汽车应用。
小型化优点:采用SOT-23-3封装,使得其具有较小的占板面积,非常适合对空间要求严格的便携设备及消费电子产品。
MMBT3904LT3G适用的应用场景广泛,包括但不限于:
MMBT3904LT3G是一款具有高频特性的NPN三极管,凭借其出色的电流增益、较低的饱和压降以及适应广泛工作温度的能力,成为电子设计领域中值得信赖的选择。 ON Semiconductor通过这款三极管所展示出的高性能和可靠性,使得其在多种应用中得以广泛使用,为设计师们提供了更大的灵活性和创作空间。借助MMBT3904LT3G,工程师能够在性能与效率之间找到完美的平衡,为各种电子产品带来优异的电气性能和用户体验。