MMBT3904LT3G 产品实物图片
MMBT3904LT3G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBT3904LT3G

商品编码: BM0084329540
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
X2-DFN0606-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 40V 200mA NPN SOT-23
库存 :
2517(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.423
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.423
--
500+
¥0.141
--
5000+
¥0.0938
--
10000+
¥0.067
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT3904LT3G参数

制造商ON Semiconductor包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,1V
频率 - 跃迁300MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V功率 - 最大值300mW
基本产品编号MMBT3904

MMBT3904LT3G手册

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MMBT3904LT3G概述

产品概述:MMBT3904LT3G

一、产品背景

MMBT3904LT3G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高性能NPN型三极管(BJT)。其设计旨在满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求。凭借其广泛的工作温度范围、出色的电流增益和较低的饱和压降,MMBT3904LT3G成为了多种应用场合中的理想选择。

二、基本参数

MMBT3904LT3G采用的是卷带(TR)包装,适合自动化贴装。该器件状态为有源,适用于各种电子电路中的放大和开关应用。以下是其主要技术参数:

  • 晶体管类型:NPN
  • 额定电流:Ic(集电极电流)最大值为200mA
  • 额定电压:Vce(集射极击穿电压)最大值为40V
  • 功率范围:最大功率为300mW
  • 频率响应:频率跃迁(fT)为300MHz
  • 工作温度范围:-55°C至150°C(TJ)
  • 电流增益:DC电流增益(hFE)最小值为100(在Ic=10mA,Vce=1V时测得)
  • 饱和压降:在不同的Ib、Ic条件下,最大饱和压降为300mV(在5mA和50mA时测得)
  • 封装类型:采用小型SOT-23-3封装(TO-236),适合于表面贴装应用

三、功能特点

  1. 高频特性:MMBT3904LT3G具有高达300MHz的频率跃迁,能有效支持高频信号的放大,适用于射频及高速信号处理设备。

  2. 稳定的电流增益:在全工作范围内,MMBT3904LT3G展现出稳定的电流增益特性,这使得其在多种电路设计中均可保持良好的性能。

  3. 优异的散热能力:该型号三极管能够在最大150°C的工作环境下正常运行,确保其在高温条件下的可靠性,适用于严苛的工业和汽车应用。

  4. 小型化优点:采用SOT-23-3封装,使得其具有较小的占板面积,非常适合对空间要求严格的便携设备及消费电子产品。

四、应用场景

MMBT3904LT3G适用的应用场景广泛,包括但不限于:

  • 信号放大:在音频、视频及其他信号处理电路中作为信号放大器。
  • 开关应用:在开关电源和数字电路中用于信号开关。
  • 工业控制:可广泛应用于自动化设备、传感器以及控制电路中。
  • 消费电子:适用于手机、平板电脑及各类家电产品中,以提升电路性能。

五、总结

MMBT3904LT3G是一款具有高频特性的NPN三极管,凭借其出色的电流增益、较低的饱和压降以及适应广泛工作温度的能力,成为电子设计领域中值得信赖的选择。 ON Semiconductor通过这款三极管所展示出的高性能和可靠性,使得其在多种应用中得以广泛使用,为设计师们提供了更大的灵活性和创作空间。借助MMBT3904LT3G,工程师能够在性能与效率之间找到完美的平衡,为各种电子产品带来优异的电气性能和用户体验。