MJD41CT4G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MJD41CT4G

商品编码: BM0084329537
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.438g
描述 : 
三极管(BJT) 1.75W 100V 6A NPN TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.31
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.31
--
100+
¥2.55
--
1250+
¥2.21
--
2500+
¥2.09
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

MJD41CT4G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)6A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.5V @ 600mA,6A
电流 - 集电极截止(最大值)50µA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)15 @ 3A,4V
功率 - 最大值1.75W频率 - 跃迁3MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63供应商器件封装DPAK

MJD41CT4G手册

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MJD41CT4G概述

MJD41CT4G 产品概述

概述

MJD41CT4G是一款高性能的NPN功率晶体管,专为各种高电流和高电压应用设计。作为一款表面贴装型三极管,其封装形式为TO-252-3(DPAK),该器件在尺寸、性能和高可靠性方面均表现优异,广泛应用于消费电子、工业控制、电源管理等领域。其适用的工作温度范围从-65°C到150°C,确保在极端条件下仍能可靠运行。

技术参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 (Ic):6A
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce max):100V
  • Vce饱和压降:在600mA和6A时,其最大值为1.5V,表明在高负载条件下,MJD41CT4G仍保持较低的饱和电压,增加了功率转换的效率。
  • 集电极截止电流 (Icbo max):50µA,保证在关闭状态时电流泄露极小,提高了电源的稳定性。
  • 直流电流增益 (hFE):在3A和4V的条件下,hFE的最小值为15,代表该晶体管的电流放大能力,适合用于中高功率放大和开关应用。
  • 最大功率输出:1.75W,适合用于多种功率管理场合。
  • 频率 - 跃迁:3MHz,表示其切换速度较快,适合高频应用。
  • 安装类型:表面贴装型,便于自动化生产和出色的空间利用率。
  • 封装/外壳:DPAK (TO-252-3),为现代电子产品提供灵活的安装方式。

应用领域

MJD41CT4G广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:

  • 电源管理:适用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理电路,能够有效处理高电压和高电流。
  • 开关控制:在大功率负载的调控中,如电机驱动、继电器驱动等场合,能够发挥其开关特性。
  • 汽车电子:在汽车的信号控制和电源分配中,MJD41CT4G能够承受苛刻的工作环境,确保系统的稳定性。
  • 工业设备:在各种工业自动化设备和控制系统中,该器件可作为信号放大和开关控制的重要元件。

整体优势

MJD41CT4G集多项优点于一身:

  • 高效率:通过低饱和压降和截止电流,降低了功耗,增强了电路的总体效率。
  • 高可靠性:宽广的工作温度范围和多年的实际应用验证,确保在恶劣环境下保持稳定的性能。
  • 易于集成:表面贴装的设计使得其能够轻松集成到现代电子产品中,提高了生产效率。

结论

总之,MJD41CT4G凭借其优异的电气特性和广泛的适用范围,成为了许多工程师和设计师在选择NPN功率晶体管时的首选。无论是在消费电子,还是在Industrial Automation领域,这款晶体管都展现出了其强大的性能和高可靠性,为各类应用提供了坚实的基础,是实现高效电源管理和信号控制的理想选择。