FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 80 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 298pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
FDN360P 是一种高性能的 P 通道 MOSFET,具有高导通效率及良好的热稳定性,适合广泛的电源管理应用。该器件由安森美(ON Semiconductor)制造,封装形式为 SuperSOT-3(也称为 SOT-23),便于表面贴装,使其在现代电子设备中占据重要地位。FDN360P 的额定漏源电压为 30V,连续漏极电流可达到 2A,符合许多低功耗应用的需求。
电压和电流特性:
栅极驱动:
开关特性:
热特性与功率:
FDN360P 的特性使其非常适合用于多种应用场景,包括但不限于:
FDN360P 是一款出色的 P 通道 MOSFET,以其优异的电气性能和热稳定性,在电源管理和开关应用中表现出众。无论是在家用电器、消费电子还是工业设备,FDN360P 都展示了较高的灵活性和可靠性,是设计工程师在实现高效电路时的重要选择。
通过选择 FDN360P,用户不仅可以降低能耗,还能提高系统性能,让其在现代电子设备中成为不可或缺的组成部分。其表面贴装设计也使得在紧凑型电路板上进行布局成为可能,极大提高了电路设计的灵活性。