注：图像仅供参考，请参阅产品规格
FDN359AN
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SuperSOT-3
包装 :
编带
重量 :
0.032g
描述 :
场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2.7A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
276(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.51按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.51
--
100+
￥1.21
--
750+
￥1.08
--
1500+
￥1.02
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3000+
￥0.97
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
FDN359AN参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 46 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 480pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
FDN359AN手册
无数据
FDN359AN概述
FDN359AN 产品概述
一、基本信息
FDN359AN 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），属于安森美（ON Semiconductor）推出的 SuperSOT-3系列。这款器件在诸多电子设计中都显示出其优异的性能，适用于需要高开关效率和低导通损耗的场合。
二、电气参数
FDN359AN 的基础电气参数突出，特别适合用于便携式设备和功率管理应用：
- 漏源电压 (Vdss)：最高可承受 30V 的漏源电压，使其能够在相对较高的电压下工作。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，最大允许的连续漏极电流为 2.7A，意味着在正常工作条件下，该器件可用于承载较高的电流。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 10V 的栅极电压下，最大导通电阻为 46 毫欧，表明其在导通状态下有较低的电阻，从而降低了功率损耗，提高了能效。
- 栅压阈值 (Vgs(th))：在 250µA 的条件下，最大栅源电压阈值为 3V，保证了在相对较低电压下即可开启，便于控制。
- 栅极电荷 (Qg)：在 5V 栅极电压下，最大栅极电荷为 7nC，有助于在高频开关应用中降低驱动功耗。
- 输入电容 (Ciss)：在 10V 条件下，最大输入电容为 480pF，适合高频信号的处理。
- 功率耗散 (Pd)：最大功率耗散为 500mW，在高温环境下也能保持稳定。
三、工作温度范围
FDN359AN 具备广泛的工作温度范围，能够在 -55°C 到 150°C 之间高效工作，这一特性使其非常适用于严苛的环境条件，确保器件在高温和低温下都能保持良好的性能。
四、封装与安装
FDN359AN 采用 SuperSOT-3 封装，符合 TO-236-3、SC-59 和 SOT-23-3 封装标准。这种小型表面贴装型设计使得器件在电路板上的布局更加灵活，适合现代电子设备的紧凑设计。此外，其轻便的封装特性也有助于实现高效的热管理。
五、应用场景
FDN359AN 的广泛应用使其成为各种电路设计的重要组成部分。常见的应用场景包括：
- 电源管理：该器件在 DC-DC 转换、负载开关及电池管理系统中表现优越，能够有效地控制功率和提高效率。
- 信号开关：在音频、视频及其他信号线的开关控制中，FDN359AN 的低 Rds(on) 和高开关速度优势显著。
- 驱动电路：作为 MOSFET 驱动器，该器件能够在驱动大功率设备如马达和继电器时提供快速的开关性能和高电流承载能力。
- 便携式设备：由于其较低的耗散功率和小型封装，FDN359AN 适合在手机、平板电脑等便携式设备中应用，助力提升产品的续航能力。
六、总结
总之，FDN359AN 是一款高效的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性、广泛的工作温度范围以及小型化的封装，成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。在电源管理、信号开关、驱动电路及便携式设备中，FDN359AN 都能够提供卓越的性能和可靠性，是您电子产品设计中的理想选择。