注：图像仅供参考，请参阅产品规格
FDN339AN
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SuperSOT-3
包装 :
编带
重量 :
0.041g
描述 :
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 3A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.54按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.54
--
100+
￥1.18
--
750+
￥0.983
--
1500+
￥0.894
--
3000+
￥0.82
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
FDN339AN参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
FDN339AN手册
无数据
FDN339AN概述
FDN339AN 产品概述
概述
FDN339AN 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，专为低电压和低功耗应用设计。其典型的工作电流为 3A，漏源电压为 20V，使其在广泛的电子电路中展现出出色的适用性，特别是在电源管理、开关应用和信号调理等领域。采用 SuperSOT-3 表面贴装封装，方便集成于现代紧凑型设备中。
关键特性
- FET 类型：N 通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流（Id）：3A（Ta = 25°C）
- 最大 Rds(on)：在 3A 和 4.5V 下，导通电阻最高为 35 毫欧，有助于降低功耗和热管理需求
- 驱动电压：最小 Rds(on) 在 2.5V 和 4.5V 下可实现
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 1.5V（@ 250µA），保证了在低电压时的高开关能力
- 栅极电荷（Qg）：在 4.5V 下最大为 10nC，指示其开关速度较快，适合频繁切换的场合
- 输入电容（Ciss）：700pF @ 10V，确保信号传输的稳定性与可靠性
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C，保证其在恶劣环境下继续工作
- 功率耗散：最高可达 500mW，适应高功率应用
- 封装类型：SuperSOT-3，尺寸小巧，适合表面贴装操作
应用场景
FDN339AN 适用于多种电子应用，包括但不限于：
- 电源管理：作为开关元件用于 DC-DC 转换器、负载开关等电源管理电路。
- 开关电路：在LED 驱动、马达控制及其他开关频繁的应用中表现优异。
- 信号放大：在小信号传输和增益控制中，有助于提升系统的性能。
- 电机驱动：适合用于低电压电机控制及其他驱动电路，提高能效与控制精度。
性能优势
FDN339AN 提供了极低的导通电阻，确保高效的功率转换和极低的功耗。这对于需要更长电池寿命的便携设备尤为重要。此外，MOSFET 的快速开关特性使其能够在高频应用中有效降低延迟，提高整体系统响应速度。
封装与安装
使用 SuperSOT-3 封装的 FDN339AN 适合现代电子产品的紧凑设计。小型化的封装不仅节省了电路板空间，还提高了热管理能力。表面贴装技术（SMT）保证了高效的生产工艺，推动了自动化生产的步伐。
结论
FDN339AN 是一款集高性能、低功耗和可靠性于一体的 N 通道 MOSFET，适合广泛的电子应用需求。无论是电源管理、开关电路还是信号处理，FDN339AN 都能为设计工程师提供灵活的解决方案，帮助其在竞争激烈的市场中占据优势。安森美作为生产厂家，其高质量的产品始终如一，确保了 FDN339AN 的可靠性与耐用性，成为了各类现代电路设计中的重要选择。