T835-600G 产品实物图片
T835-600G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

T835-600G

商品编码: BM0084329513
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
晶闸管(可控硅)/模块 35mA 600V 1个双向可控硅 1.3V D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.84
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.84
--
100+
¥3.86
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

T835-600G参数

双向可控硅类型可控硅 - 无缓冲器电压 - 断态600V
电流 - 通态 (It (RMS))(最大值)8A电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值)1.3V
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)80A,84A电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值)35mA
电流 - 保持 (Ih)(最大值)35mA配置单路
工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB供应商器件封装D2PAK

T835-600G手册

empty-page
无数据

T835-600G概述

产品概述:T835-600G双向可控硅

T835-600G是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能双向可控硅(Thyristor),采用D2PAK封装,具备出色的电气特性和广泛的应用场景。设计者在选择该元件时,可充分利用其在功率控制和固态继电器中的优越性能。

主要技术参数

  1. 电气特性

    • 断态电压(Vdrm):该器件具备高达600V的断态电压,适用于各种高电压应用。
    • 通态电流(It (RMS)):最大8A的通态电流使得T835-600G能够有效处理中等负载的电流需求。
    • 非重复浪涌电流(Itsm):在50/60Hz下,允许的非重复浪涌电流可达80A(在50Hz时)和84A(在60Hz时),这使得该组件在瞬态过载情况下能承受较高的电流冲击,增加了系统的可靠性。
    • 栅极触发电压(Vgt):该器件的最大栅极触发电压为1.3V,能够在较低电压下响应,简化驳接接口的设计。
    • 栅极触发电流(Igt):最大触发电流为35mA,提升了对控制电路的适应性。
    • 保持电流(Ih):最大保持电流也为35mA,确保在关断阶段的稳定性。
  2. 工作环境

    • 工作温度范围:该器件能够在-40°C至125°C的温度范围内稳定工作,这使其适应多种环境,尤其是高温严酷的工业应用。
    • 封装类型:采用D2PAK封装,有利于表面贴装,方便在PCB板上的安装,实现了更好的散热性能。

应用领域

T835-600G双向可控硅在多个应用场合中表现优异,包括:

  • 固态继电器(SSR):凭借其可靠的电流控制能力和高耐压特点,T835-600G非常适合用于固态继电器中,实现快速开关和高效能。
  • 电机控制:在电机驱动及控制领域,使用该可控硅可实现平滑启动和停机,使电机在启动及运行时的性能得到优化。
  • 电力调节系统:T835-600G可用于调光、温度控制及其他电力调节系统中,提供精确的控制和较低的功率损耗。
  • 家用电器:广泛应用于家用电器中,如洗衣机、空调等设备的功率控制。

设计优势

  • 高效能与可靠性:该可控硅具有较低的触发功率和较高的浪涌承受能力,使得设备在高压负载下运行时更加可靠。
  • 简易集成:D2PAK封装设计不仅便于安装,还可有效进行散热,减少因热量积聚而引发的故障风险。
  • 强大适应性:广泛的工作温度和电流承载能力,使得T835-600G能够适应各种复杂的工作环境。

结论

T835-600G双向可控硅是一个结合高性能与优良可靠性的电子元件,特别适用于需要高电压和大电流处理的场景。其卓越的性能特征、宽广的应用领域以及良好的散热能力,使其成为各种电子设计中的理想选择。无论是在工业控制、家电还是能源管理领域,T835-600G都能够充分满足设计师的需求,提供高效、可靠的解决方案。