双向可控硅类型 | 可控硅 - 无缓冲器 | 电压 - 断态 | 600V |
电流 - 通态 (It (RMS))(最大值) | 8A | 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值) | 1.3V |
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 80A,84A | 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值) | 35mA |
电流 - 保持 (Ih)(最大值) | 35mA | 配置 | 单路 |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 供应商器件封装 | D2PAK |
T835-600G是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能双向可控硅(Thyristor),采用D2PAK封装,具备出色的电气特性和广泛的应用场景。设计者在选择该元件时,可充分利用其在功率控制和固态继电器中的优越性能。
电气特性:
工作环境:
T835-600G双向可控硅在多个应用场合中表现优异,包括:
T835-600G双向可控硅是一个结合高性能与优良可靠性的电子元件,特别适用于需要高电压和大电流处理的场景。其卓越的性能特征、宽广的应用领域以及良好的散热能力,使其成为各种电子设计中的理想选择。无论是在工业控制、家电还是能源管理领域,T835-600G都能够充分满足设计师的需求,提供高效、可靠的解决方案。