STU7N80K5
STU7N80K5参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | SuperMESH5™ |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±30V | 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I-PAK | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 360pF @ 100V | 基本产品编号 | STU7N |
STU7N80K5手册
STU7N80K5概述
STU7N80K5 产品概述
STU7N80K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），属于其著名的SuperMESH5™系列。这款MOSFET专为高效能和高电压应用而设计，具有优异的导电性能和热管理特性，很适合在各种电源转换和功率控制电路中使用。
主要特性
高电压和电流能力：STU7N80K5的漏源电压（Vdss）高达800V，能够满足多种高电压应用环境的需求。该器件的连续漏极电流（Id）在25°C时为6A，这使得其在功率电子应用中表现出色，能够处理大电流负载，适合于电源模块、电力逆变器等关键应用。
较低的导通电阻：在10V的栅极驱动电压下，该器件的最大导通电阻（Rds On）为1.2Ω（在3A时），这使得STU7N80K5在开启状态下保持较低的功耗，提升了整体能效，减少热损耗，提供更高的系统效率，以及更好的电流管理能力。
宽工作温度范围：STU7N80K5设计的工作温度范围从-55°C到150°C，支持在严苛环境下的稳定运行。这种温度适应性使得它在多种工业和汽车应用中都能可靠工作。
高功率耗散：其最大功率耗散（Pd）可达110W（在Tc条件下），意味着STU7N80K5能够有效控制电源中的热能累积，利于提升器件的可靠性和寿命。
优良的开关性能：器件的栅极电荷（Qg）在10V时最大值为13.4nC，能够实现快速的开关响应，适合高频开关电源、PWM控制和其他快速切换应用。输入电容（Ciss）在100V时最大为360pF，也是较低的数值，有助于提高开关效率，降低驱动负担。
应用场景
STU7N80K5广泛应用于以下领域和设备中：
开关电源（SMPS）：该MOSFET能够在电源转换过程中提供稳定的电流输出，并尽量减小能量损耗，适合出现较高开关频率的开关电源设计。
电机驱动：用于电动机驱动电路中能够承受较高电流和电压，确保电机的高效运转。
电力逆变器：在可再生能源系统和电动车辆中的逆变器应用，STU7N80K5提供对高压DC-AC转换的良好支持。
汽车电子：由于其宽广的工作温度范围和高可靠性，STU7N80K5可用于发动机控制单元（ECU）、电池管理系统以及其他汽车电源系统。
封装信息
STU7N80K5采用TO-251-3（I-PAK）封装，这种封装类型具有良好的热连接性和电气特性，适合需要空间紧凑和散热效率高的应用场景。标记清晰且形状紧凑，使得在PCB上布局更加灵活。
总结
综上所述，STU7N80K5是一款高性能的N沟道MOSFET，凭借其出色的电气特性、宽广的工作温度范围及高功率耗散能力，成为各种电源和功率电子应用的理想选择。无论是在工业自动化、通信基础设施，还是在可再生能源和汽车电子领域，它都将提供高效、可靠的电流控制解决方案。