ZTX857
ZTX857参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 600mA，3A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，10V | 频率 - 跃迁 | 80MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | E-Line-3 | 供应商器件封装 | E-Line（TO-92 兼容） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 300V |
| 功率 - 最大值 | 1.2W | 基本产品编号 | ZTX857 |
ZTX857手册
ZTX857概述
ZTX857 产品概述
概述
ZTX857 是一种高性能的NPN型双极型晶体管（BJT），由Diodes Incorporated制造。这款晶体管以其独特的电气性能和广泛的工作温度范围而受到青睐，特别适用于工业和商业应用中需要高电流和高电压能力的场合。ZTX857凭借其卓越的电气特性和强大的可靠性，成为设计师在选择功率转换、开关电路以及信号放大应用时的重要选择。
主要特性
电气性能：ZTX857具备出色的电流增益特性，最小DC电流增益（hFE）为100，测试条件为在10V时的500mA集电极电流，这意味着它在需要信号放大的应用中表现良好。此外，该型号在600mA和3A的集电极电流条件下，其最大饱和压降（Vce）仅为250mV，显示出其高效能的特点。
高耐压和大电流：ZTX857能承受高达300V的集射极击穿电压，同时，其最大集电极电流可达3A，适合用于高电压和高电流的电源管理及开关应用中。
出色的频率响应：其跃迁频率高达80MHz，使得ZTX857适合用于要求高频响应的应用，如射频放大器等。
温度适应性：ZTX857具备宽广的工作温度范围，从-55°C到200°C，确保在极端环境下仍能可靠工作，非常适合航空航天、汽车电子及工业自动化等领域的应用。
封装与安装：采用E-Line-3包装，兼容TO-92封装类型，适合通孔安装，这种结构为设计提供了良好的兼容性和灵活性，易于集成到各种PCB设计中。
应用领域
ZTX857的设计兼容性和广泛的参数适用性，使其可在多种场合下实现优化性能，包括但不限于：
开关电源：在多个开关电源设计中，ZTX857能够处理高电压和电流，是稳压电源和转换电源设计中的理想选择。
放大器电路：其高增益特性和良好的频率响应使ZTX857特别适合用于信号放大器电路，能够有效地放大微弱信号。
自动化设备：在工业自动化与控制领域，ZTX857可用于控制电动机、继电器驱动等应用，确保高效可靠的工作。
家电设备：在各种家电的控制电路中，ZTX857提供稳定的控制信号，提升设备的整体性能。
总结
ZTX857以其高电压、高电流和温度适应性等优良特性，成为需要高效性能的应用中的热门解决方案。凭借出色的电气和热性能，ZTX857适合广泛的工业应用，使其成为设计师的首选元器件之一。对于正在寻找可靠NPN晶体管以提高整个设计性能的工程师而言，ZTX857无疑提供了一个高效和灵活的选择。