STW42N65M5
STW42N65M5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 79 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4650pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW42N65M5手册
STW42N65M5概述
产品概述：STW42N65M5 N通道MOSFET
STW42N65M5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N通道MOSFET，专为一些高电压和高电流应用设计。该元件采用TO-247-3封装，适合大功率管理和开关应用，广泛应用于电源转换器、变频器、和其他需要高效能和低热量散发的设备。
关键特性：
高电压能力：STW42N65M5的漏源电压（Vdss）高达650V，这使得它能够在高压电源和工业应用中运行，保障设备在高电压条件下的安全和稳定。
高电流处理能力：该MOSFET在25°C时可支持最大33A的连续漏极电流（Id），为负载提供足够的电流供应，适用于大功率系统。
低导通电阻：在10V的栅极驱动电压（Vgs）下，其最大导通电阻（Rds(on)）仅为79毫欧（@16.5A），提高了功率转换效率，同时减少了能量损耗，降低了热量产生。
良好的导通特性：该器件的Vgs(th)阈值电压最大为5V（@250µA），意味着在适当的栅极驱动下，其能迅速导通，为电路提供良好的响应速度和效率。
适广泛的工作温度范围：STW42N65M5的工作温度可支持高达150°C（TJ），使其适合在苛刻环境中运行，确保设备长时间的可靠性。
低栅极电荷：最大栅极电荷（Qg）为100nC（@10V），意味着在开关应用中，驱动电路可减小功耗，从而提高整体系统的效率。
功率耗散能力：该设备具有高达190W的功率耗散能力（Tc），即使在高负载情况下，也能有效散热，确保器件工作稳定。
应用领域：
STW42N65M5广泛应用于许多高效能的电源管理系统，包括：
开关电源：在开关电源设计中，该MOSFET可用于主开关，使得电源转换效率大幅提升。
变频器：在电机驱动和变频器中，STW42N65M5能够提供高效的电流力，将功率转换成所需的频率和电压。
代用品和电动车辆：该器件适用于高压电池管理和电动车辆动力系统中，将能量转化效率最大化，同时保证长时间的稳定性能。
工业自动化设备：用于各类自动化设备和控制系统中，促进高效的功率管理和负载控制。
结论：
STW42N65M5常常被设计工程师所青睐，因为它不仅提供了高电压和电流处理能力，还极低的导通电阻和良好的热管理特性，使得它在高要求应用中表现出色。随着新一代高效电子设备和绿色能源系统的发展，该MOSFET的应用前景广阔，完全能够满足现代技术发展的需求。无论是在电源转换、变频控制，还是在工业自动化领域，STW42N65M5都展示了强大的适应性与可靠性。