SI3410DV-T1-GE3
SI3410DV-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19.5 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1295pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），4.1W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
SI3410DV-T1-GE3手册
SI3410DV-T1-GE3概述
SI3410DV-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI3410DV-T1-GE3 是一款由威世（VISHAY）公司推出的高性能 N 通道 MOSFET，主要用于各种电子电路中作为开关和放大器。该器件采用先进的 MOSFET 技术，具有优秀的导通性能和较低的开关损耗。它在 30V 的漏源电压和高达 8A 的连续漏极电流下运行，适合广泛的应用场景，包括电源管理、电机驱动以及其他需要高效开关的电路。
二、技术特点
漏源电压（Vds）： SI3410DV-T1-GE3 最大漏源电压为 30V，适合大多数低压电源及驱动应用，确保在一定负载电流下稳定运行。
连续漏极电流（Id）： 在 25°C 的环境温度下，该 MOSFET 的连续漏极电流可达到 8A（在致冷条件下）。这使得该器件能够在需要较高电流驱动的应用中发挥出色，并且在适当的散热条件下，表现更为优越。
导通电阻（Rds(on)）： SI3410DV-T1-GE3 在特定的门极驱动电压下，导通电阻的最大值为 19.5 毫欧（在 10V 门极电压、5A 电流的条件下）。较低的 Rds(on) 使得能量损耗最小化，提高了整体效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）： 该器件的栅极阈值电压最大值为 3V（在 250µA 的条件下），这确保了在较低的驱动电压下也能够快速启动和关闭。
输入电容（Ciss）： 在 15V 的漏源电压条件下，该器件的输入电容最大值为 1295pF。适合快速开关频率应用，能够有效降低开关时间。
栅极电荷（Qg）： 最大栅极电荷为 33nC（在 10V 驱动电压下）。较低的栅极电荷帮助实现更快的开关动作，提高了开关效率。
功率耗散： SI3410DV-T1-GE3 的最大功率耗散在空气环境（Ta）下可达到 2W，而在热耦合条件下（Tc）达到 4.1W，使得该器件在温度控制良好的情况下能够承受较高的功率。
工作温度范围： 工作温度范围从 -55°C 到 150°C，允许该器件应用于各种环境条件，包括极端环境下的应用。
封装类型： SI3410DV-T1-GE3 采用 6-TSOP 封装（SOT-23-6 细型），具备小型化和表面贴装的优点，方便现代电子产品的设计和组装。
三、应用领域
SI3410DV-T1-GE3 高效的性能使其在多个领域得到了广泛应用：
- 电源管理：在开关电源、降压转换器和升压转换器中用作开关元件。
- 电机驱动：适用于直流电机驱动、步进电机控制及无刷直流电机（BLDC）驱动等场合。
- 自动化控制：用于自动化设备和家电中的开关控制和信号放大。
- LED驱动：在LED照明解决方案中，用于高效的驱动和控制。
四、总结
SI3410DV-T1-GE3 是一款具有高效能的 N 通道 MOSFET，结合了低导通电阻、高电流能力及宽工作温度范围，满足不同电子设备的需求。它的优异性能和广泛的应用前景使得该器件成为现代电子设计中不可或缺的选择。随着技术的不断进步和应用需求的多样化，SI3410DV-T1-GE3 将继续为各种高效、可靠的电路设计提供支持。