功率(Pd) | 208W;7.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 85pF@20V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.99mΩ@20A,10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 100nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 8.32nF@20V | 连续漏极电流(Id) | 100A;67A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
AON6590A 是由 AOS(美国半导体)公司开发的一款高性能场效应管(MOSFET),采用DFN-8封装,外形尺寸为5mm x 6mm。它具有卓越的电气性能,适用于各种高性能功率管理和开关应用。作为一款N沟道MOSFET,这个器件能够承受高达40V的电压,并提供高达100A的连续工作电流,适合于要求高电流和高功率的应用场合。
AON6590A的应用范围十分广泛,主要适用于以下几类场景:
AON6590A采用DFN-8(5x6mm)封装,具有更好的散热特性和小型化设计,使其在现代紧凑型电子设备中更容易集成。DFN封装的底部热PAD设计帮助MOSFET快速散热,增强其在高功率应用下的寿命和表现。
AON6590A以其高功率、高效率和灵活的应用能力,在市场中具有显著的竞争优势。与其他同类产品相比,其独特的导通电阻和迅速的开关速度使其在性能和能效上均占据优势。这使得AON6590A成为设计工程师和产品经理首选的MOSFET解决方案。
AON6590A是一款性能卓越的N沟道MOSFET,具有出色的电气性能和多样化的应用场景。无论是在电源管理、汽车动力驱动,还是在计算机电源和LED驱动中,AON6590A都展现出其强大的能力和广泛的适用性。面对日益严苛的市场需求,AON6590A无疑是高功率、高效率应用的理想选择。对于寻求高性能MOSFET解决方案的设计人员而言,AON6590A提供了一个理想的选项,值得在未来的设计项目中考虑。