STD25NF10LA
STD25NF10LA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 52nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1710pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD25NF10LA手册
STD25NF10LA概述
SDT25NF10LA 产品概述
一、产品简介
STD25NF10LA 是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。该元件广泛应用于摩托车、电源管理和其他高效电能转换应用中。在具备高功率处理能力的同时，该 MOSFET 还具有优秀的开关特性，使其成为当今电子设计中的理想选择。
二、基本参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C：25A（当结温 Tc 最大时）
- 驱动电压：最小 Rds On 为 4.5V；最大 Rds On 为 10V
- 导通电阻 (Rds On)：在 10V 驱动电压和 12.5A 时，最大值为 35 毫欧
- 阈值电压 (Vgs(th))：在 250µA 的条件下，最大值为 2.5V
- 栅极电荷 (Qg)：在 5V 驱动下的值为 52nC
- 最大栅钳位电压 (Vgs)：±16V
- 输入电容 (Ciss)：在 25V 条件下，最大值为 1710pF
- 功率耗散 (Pd)：最大值为 100W（当结温 Tc 最大时）
- 工作温度范围：-55°C 至 175°C（从结温 TJ 计算）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DPAK（TO-252-3，DPak，具备 2 个引脚 + 接片）
三、技术优势
高功率处理能力：STD25NF10LA 的最大功率耗散能力达到 100W，使其能够在高功率应用场合下稳定运行。此特性使得该元件在电源管理、DC-DC 转换器、以及工业控制应用中尤为重要。
低导通电阻：其低 Rds On 值（最高仅为 35 毫欧）进一步提高了效率，减少了能量损耗，适合高效能电子设计。通过保持低导通电阻，该 MOSFET 可以在高电流负载下有效地降低热量产生。
宽工作温度范围：STD25NF10LA 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，适应了各种极端环境的需求，尤其适用于军用、航空航天及高温工业环境。
快速开关特性：在设计高频开关电源或相关设备时，本产品中适量的栅极电荷 (Qg) 值帮助设计师在低驱动功率下实现快速开关，从而提高整体系统效率和响应速度。
良好的耐压性能：以 100V 的漏源电压为设计基础，该 MOSFET 适用于需要高电压承受能力的应用，增加了电路的适用范围。
四、应用领域
STD25NF10LA 被广泛应用于以下领域：
- 电源管理：包括直流转换器和不间断电源 (UPS)。
- 马达控制：高效驱动电机和伺服控制系统。
- 开关电源：适合用于 AC-DC 和 DC-DC 转换应用。
- 能量转换设备：如光伏逆变器、电动车充电器等。
五、总结
STD25NF10LA 是一款功能全面、性能优越的 N 通道 MOSFET，能够为设计师提供理想的解决方案以满足各类复杂电子电路的要求。凭借其卓越的功率处理能力、低导通电阻和宽温度范围，此产品非常适合高效能电源管理和高频开关应用，必将成为设计师的首选元件之一。无论是汽车电子、工业控制还是可再生能源领域，STD25NF10LA 都能发挥其不可或缺的作用。