注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF6665TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
DirectFET-SH
包装 :
管装
重量 :
0.074g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.2W；42W 100V 4.2A；19A 1个N沟道 SMD
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.81按整 :
管(1管有4800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.81
--
100+
￥2.25
--
1200+
￥2.01
--
2400+
￥1.9
--
28800+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF6665TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta），19A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 62 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 530pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.2W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DIRECTFET™ SH |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 SH |
IRF6665TRPBF手册
无数据
IRF6665TRPBF概述
IRF6665TRPBF 产品概述
一、产品介绍
IRF6665TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能 N 型通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件专为需要高效能、低导通损耗的电源管理应用而设计，具有高达 100V 的漏源电压（Vdss）和长达 4.2A（在 25°C 环境）和 19A（在 150°C 环境） 的连续漏极电流（Id）。因其低的导通电阻（最大值为62毫欧），IRF6665TRPBF 能够有效降低功率损耗，适用于对高效率有严格要求的电子电路。
二、主要参数
电气特性
- 漏源电压（Vdss）: 最高可承受 100V 的电压使得该 MOSFET 可以在高电压应用中稳定运行。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时可达 4.2A，在 150°C 时可提升至 19A，显示出良好的散热能力和耐高温性能。
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大导通电阻为62毫欧（在 5A，10V 条件下），有效降低开关和导通损耗，可提高整体能效。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为 5V，这意味着此 MOSFET 可以在 5V 的栅极电压下开始导通，适用于5V 控制电路。
- 栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 13nC，依据所需驱动电流的不同，影响MOSFET的开关速度及控制电路的设计。
热特性
- 最大功率耗散: 在环境温度为 25°C 时为 2.2W，适应于高散热能力的应用。最高临界条件下 (Tc=150°C)，功率耗散可达 42W，使其能够处理较高热量的应用场合。
- 工作温度范围: 其工作温度范围从 -40°C 到 150°C，适应广泛的工业和消费电子应用。
封装与安装
- 封装类型: IRF6665TRPBF 采用 DirectFET™ SH 封装，具有优良的散热性和紧凑的安装特性，适用于表面贴装技术（SMD）电路板设计。
三、应用领域
IRF6665TRPBF 由于其优异的电气和热性能，广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 可以作为 DC-DC 转换器中的开关元件，以实现高效的能量转换。
- 电机驱动: 在无刷直流电机控制系统中，作为开关器件，提高电机运行的效率。
- 无线充电: 适合无线充电器中使用，低导通损耗有助于提升充电效率。
- LED 驱动电路: 可用于高功率 LED 驱动电路，提供稳定的电流输出。
- 电动车和储能系统: 在电动车和能源储存装置中提供高效的电源管理能力。
四、总结
作为一款高性能 N 通道 MOSFET，IRF6665TRPBF 在设计上充分考虑了功率损耗、散热性能和工作稳定性，适合于现代电源管理和电机控制等多种应用场景。其优良的技术参数和广泛的应用潜力使其成为电源工程师和电子设计师的首选组件。