SQA403EJ-T1_GE3

产品概述：SQA403EJ-T1_GE3

产品名称： SQA403EJ-T1_GE3
类型： P沟道MOSFET
制造商： VISHAY（威世）

一、基本特性

SQA403EJ-T1_GE3 是一种高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），在汽车应用中表现出色，符合AEC-Q101汽车标准，确保其在严苛环境下的可靠性和性能稳定性。该器件的主要规格包括：

• 漏源电压（Vdss）： 30V
• 最大连续漏极电流（Id）： 10A（在Tc=25°C时）
• 驱动电压： 4.5V（最大 Rds On）至 10V（最小 Rds On）
• 导通电阻（Rds(on)）： 20毫欧（最大值）在5A和10V时
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）： 最大2.5V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）： 最大33nC @ 10V
• 最大栅源电压（Vgs）： ±20V
• 输入电容（Ciss）： 最大1880pF @ 10V
• 功率耗散（Pd）： 最大13.6W（Tc）
• 工作温度范围（TJ）： -55°C ~ 175°C

二、封装与安装

SQA403EJ-T1_GE3采用表面贴装型PowerPAK® SC-70-6封装，这种紧凑型封装在电路板上占用空间小，适合高密度设计，且具备良好的散热性能，增强了器件在高功率应用中的可靠性与性能。

三、应用场景

SQA403EJ-T1_GE3由于其高电压、快速开关特性和低导通电阻，广泛应用于多个领域，尤其是在汽车电子设备中。常见应用包括：

1. 电源管理： 在汽车电源管理系统中，SQA403EJ-T1_GE3可以用于高效的电源转换和调节，减少能源损耗，提高系统效率。
2. 电机控制： 可用于直流电机和步进电机的驱动，实现高效的控制。
3. 开关电路： 该MOSFET非常适合用于各种开关电源和负载开关，在自动化和控制系统中表现极佳。
4. 负载驱动： 在负载驱动场合，比如LED驱动、加热元件等应用中，该器件的高电流承载能力和低热量产生特性能够保证其持续稳定工作。

四、产品优势

1. 高效性能： 由于其低导通电阻，该MOSFET在开关操作时产生的热量较少，能够有效降低系统的整体能耗，提高效率。
2. 宽广的工作温度范围： 适应于极端温度条件下，能够满足各种严苛环境的应用需求。
3. AEC-Q101认证： 符合汽车电子设备的高标准可靠性测试，确保其在汽车领域的长期稳定性。
4. 易于集成： 采用小型化的SC-70-6封装，使其能够轻松集成于空间受限的电路设计中。

五、总结

SQA403EJ-T1_GE3代表了现代汽车电子领域对高效、可靠和小型化电子元器件的迫切需求。凭借其优异的电性能、行业标准的耐用性以及广泛的应用潜力，该产品是设计高效汽车电源和控制系统时的理想选择。VISHAY作为领先的电子元器件供应商，其产品在全球范围内为众多汽车制造商和电子产品设计者所信赖。选择SQA403EJ-T1_GE3，将为您的设计增添数倍的价值和信心。